[发明专利]一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

首先，选取陶瓷板，以陶瓷板为衬底，所述陶瓷板衬底的尺寸范围为50×50mm²-200×200mm²，所述陶瓷板衬底厚度为0.1mm-2mm；

其次，以高纯度石墨粉为原料，采用热压工艺，以陶瓷衬底为基板，压制得到石墨薄膜，所述高纯度石墨粉的纯度大于99.9%；

再次，以压附有石墨薄膜的陶瓷板为基板，采用磁控溅射法在石墨薄膜表面沉积多晶硅薄膜籽晶层；

然后，采用化学气相沉积技术在多晶硅籽晶层上沉积多晶硅薄膜；

最后，采用退火方法将多晶硅薄膜与陶瓷衬底进行分离，制得多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述陶瓷衬底为Al₂O₃陶瓷衬底，所述Al₂O₃陶瓷衬底的纯度大于95%。

3.根据权利要求2所述的利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述石墨薄膜厚度10μm-1000μm。

4.根据权利要求3所述的利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜厚度为20μm-100μm。

5.根据权利要求4所述的利用陶瓷衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，所述退火方法如下：将完成多晶硅薄膜沉积的陶瓷板置于氮气环境下，对其进行加热，加热温度为800-1000℃，停止加热，冷却至室温。