[发明专利]低功率损耗的升压型功率因子校正装置有效
申请号: | 201511008554.7 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN106921288B | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 姚宇桐;杨志隆;洪宗良 | 申请(专利权)人: | 亚荣源科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 深圳汇策知识产权代理事务所(普通合伙) 44487 | 代理人: | 梁超 |
地址: | 518115 广东省深圳市龙岗区横岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 损耗 升压 因子 校正 装置 | ||
1.一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于包括:
一晶体管开关;
一二极管,该二极管的阳极电性连接至该晶体管开关;
一第一分压电阻,该第一分压电阻的一端电性连接至该晶体管开关及该二极管的阳极;
一第二分压电阻,该第二分压电阻的一端电性连接至该第一分压电阻的另一端;及
一功率因子校正控制单元,该功率因子校正控制单元电性连接至该晶体管开关,以及该第一分压电阻及该第二分压电阻的连接点,
其中该功率因子校正控制单元包含:
一脉波宽度调变信号产生器,该脉波宽度调变信号产生器电性连接至该晶体管开关;
一信号反向子单元,该信号反向子单元电性连接至开关子单元及该脉波宽度调变信号产生器之间;及
一开关子单元,该开关子单元电性连接至该第一分压电阻及该第二分压电阻之间的连接点,以及该信号反向子单元,其中该脉波宽度调变信号产生器传送一脉波宽度调变信号至该晶体管开关以控制该晶体管开关的开关状态;该脉波宽度调变信号产生器传送该脉波宽度调变信号至该信号反向子单元;依据该脉波宽度调变信号,该信号反向子单元产生一反向脉波宽度调变信号以控制该开关子单元的开关状态;
当该晶体管开关导通时,该开关子单元不导通,使该第一分压电阻无功率消耗;当该晶体管开关不导通时,该开关子单元导通,使得该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻的连接点所产生的一电压回授信号。
2.如权利要求1所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于该功率因子校正控制单元更包含:
一取样保持电路,该取样保持电路电性连接至该开关子单元。
3.如权利要求2所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于该功率因子校正控制单元更包含:
一回授补偿器,该回授补偿器电性连接至该取样保持电路及该脉波宽度调变信号产生器。
4.如权利要求3所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于更包含:
一电感,该电感电性连接至该晶体管开关、该二极管的阳极及该第一分压电阻的一端。
5.如权利要求4所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于更包含:
一输入端电容,该输入端电容电性连接至该电感;及
一输出端电容,该输出端电容电性连接至该二极管的阴极。
6.一种低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于包含:
一晶体管开关;
一二极管,该二极管的阳极电性连接至该晶体管开关;
一第一分压电阻,该第一分压电阻的一端电性连接至该二极管的阴极;及
一功率因子校正控制单元,该功率因子校正控制单元电性连接至该晶体管开关及该第一分压电阻的另一端,
其中该功率因子校正控制单元包含:
一脉波宽度调变信号产生器,该脉波宽度调变信号产生器电性连接至该晶体管开关;
一开关子单元,该开关子单元电性连接至该第一分压电阻的另一端;
一取样频率产生器,该取样频率产生器电性连接至该开关子单元;及
一第二分压电阻,该第二分压电阻的一端电性连接至该开关子单元,
其中该取样频率产生器控制该开关子单元的开关状态;当该开关子单元导通时,该功率因子校正控制单元接收到从该第一分压电阻及该第二分压电阻的连接点所产生的一电压回授信号。
7.如权利要求6所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于该功率因子校正控制单元更包含:
一取样保持电路,该取样保持电路电性连接至该开关子单元及该第二分压电阻的该端。
8.如权利要求7所述的低功率损耗的升压型功率因子校正装置,其特征在于该功率因子校正控制单元更包含:
一回授补偿器,该回授补偿器电性连接至该取样保持电路及该脉波宽度调变信号产生器。
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