[发明专利]影像传感芯片封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201511008692.5 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105448944B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 王之奇;沈志杰;陈佳炜 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215026 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种影像传感芯片封装结构,具有影像传感芯片以及用于控制所述影像传感芯片的控制芯片,其特征在于,所述影像传感芯片封装结构还包括:
基板,具有彼此相对的第一表面以及第二表面;
所述影像传感芯片电连接至所述基板,且位于所述基板的第一表面;
所述控制芯片电连接至所述基板,且位于所述基板的第二表面;
所述影像传感芯片与所述控制芯片彼此相对,
控制芯片上具有多个电连接垫,在电连接垫上形成焊接凸点,采用倒装工艺通过焊接凸点在电连接垫与基板之间建立电连接,实现控制芯片与基板电连接,
控制芯片与基板电连接的间隙处以及控制芯片的周围包裹有底部填充胶,
所述基板的第二表面设置有用于与外部电路电连接的焊接凸块,所述焊接凸块的高度大于所述控制芯片的高度,当所述焊接凸块与所述外部电路电连接时,所述控制芯片与所述外部电路之间具有间距,
在基板上设置有电互联结构,通过电互联结构在影像传感芯片、控制芯片以及焊接凸块之间建立电路导通。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述影像传感芯片具有彼此相对的第一面以及第二面,所述影像传感芯片的第一面设置有感光区以及位于感光区外的焊垫,所述影像传感芯片的第二面具有与所述焊垫电连接的焊球,所述焊球与所述基板电连接。
3.根据权利要求2所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述影像传感芯片的第一面上覆盖有保护盖板,所述保护盖板与所述影像传感芯片之间形成密封的腔体,所述感光区位于所述腔体内。
4.根据权利要求3所述的影像传感芯片封装结构,其特征在于,所述保护盖板为减反射玻璃。
5.一种影像传感芯片的封装方法,包括:提供影像传感芯片以及用于控制所述影像传感芯片的控制芯片;其特征在于,还包括:
提供基板,所述基板具有彼此相对的第一表面以及第二表面;
将所述控制芯片电连接至所述基板的第二表面;
将所述影像传感芯片电连接至所述基板的第一表面,且所述影像传感芯片与所述控制芯片彼此相对,
控制芯片上具有多个电连接垫,在电连接垫上形成焊接凸点,采用倒装工艺通过焊接凸点在电连接垫与基板之间建立电连接,实现控制芯片与基板电连接,
控制芯片与基板电连接的间隙处以及控制芯片的周围包裹有底部填充胶,
所述基板的第二表面设置有用于与外部电路电连接的焊接凸块,所述焊接凸块的高度大于所述控制芯片的高度,当所述焊接凸块与所述外部电路电连接时,所述控制芯片与所述外部电路之间具有间距,
在基板上设置有电互联结构,通过电互联结构在影像传感芯片、控制芯片以及焊接凸块之间建立电路导通。
6.根据权利要求5所述的影像传感芯片的封装方法,其特征在于,将影像传感芯片电连接至所述基板之前包括:
提供晶圆,所述晶圆上具有阵列排布的影像传感芯片,所述影像传感芯片具有彼此相对的第一面以及第二面,所述影像传感芯片的第一面设置有感光区以及位于感光区外的焊垫;
提供与所述晶圆尺寸一致的保护盖板,所述保护盖板的其中一面上设置有阵列排布的支撑单元,每一支撑单元对应一个影像传感芯片;
将所述晶圆与所述保护盖板对位压合,在每一影像传感芯片与保护盖板之间形成密封的腔体,所述感光区位于所述腔体内;
采用硅通孔工艺在所述影像传感芯片的第二面形成多个硅通孔,每一硅通孔对应一个焊垫,所述硅通孔的底部暴露所述焊垫;
在所述硅通孔中形成金属布线层,所述金属布线层与所述焊垫电连接;
在所述影像传感芯片的第二面形成焊球,所述焊球与所述金属布线层电连接;
切割所述影像传感芯片以及所述保护盖板,使彼此相连的多个影像传感芯片分离。
7.根据权利要求6所述的影像传感芯片的封装方法,其特征在于,所述保护盖板为减反射玻璃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的