[发明专利]双核钌配合物和氧化石墨烯的复合薄膜有效
申请号: | 201511009055.X | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105669049B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 王克志;孟婷婷;郑泽宝 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C03C17/42 | 分类号: | C03C17/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双核钌 配合 氧化 石墨 复合 薄膜 | ||
1.一种双核钌配合物和氧化石墨烯的复合薄膜,其特征在于,该薄膜是利用将双核钌配合物和氧化石墨烯间的静电相互作用自组装成膜,该双核钌配合物是[(H2L2)Ru(HL1)Ru(bpy)2](ClO4)4,其阳离子部分[(H2L2)Ru(HL1)Ru(bpy)2]4+的结构如下式所示:
。
2.根据权利要求1所述薄膜,其特征在于,将上述钌配合物和氧化石墨烯逐层自组装在经硅烷化处理的石英基片和ITO导电玻璃的亲水基片上。
3.根据权利要求2所述薄膜的制备方法,制备步骤如下:
(i)将清洗干净的基片浸泡在硅烷化试剂中12小时,使得基片表面带有氨基,该硅烷化试剂为体积比为1:19的3-氨基丙基三乙氧基硅烷和乙醇的混合液;(ii)将基片用去离子水冲洗后吹干,浸入到pH=3的盐酸溶液10分钟,使得膜表面氨基质子化带正电;(iii)将基片冲洗吹干后,浸泡到1mg/ml的氧化石墨烯水溶液中15分钟,带负电的氧化石墨烯静电吸附到膜表面;(iv)再将基片浸泡到1mM的双核钌配合物的乙腈溶液中15分钟,带正电的配合物通过静电相互作用与氧化石墨烯成膜;重复步骤(iii)和(iv)可制备多层膜。
4.权利要求1所述薄膜在光电流开关中的应用,其特征在于,改变pH和氢醌存在与否,开关光电流的大小和方向。
5.权利要求1所述薄膜在建造逻辑门中的应用,其特征在于,以pH和氢醌作为输入、光电流作为输出,构成YES,OR和AND逻辑门。
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