[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201511009175.X | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105742322B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 蒋胜旭;金武谦;朴希昌;李荣熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板;
显示单元,位于所述基板上;
第一无机层,位于所述显示单元上;
第一有机层,位于所述第一无机层的上表面上;
第二无机层,位于所述第一有机层的上表面上;第一坝状物,位于所述第一有机层的边缘处;
第二坝状物,与所述第一坝状物隔开并且位于所述第一坝状物的相对于所述显示单元的外部区域处;以及
应力释放层,位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间,
其中,所述第一无机层和所述第二无机层直接接触的区域的端部位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述应力释放层包括有机材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述应力释放层包括与所述第一有机层的材料相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述应力释放层利用喷墨工艺形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述应力释放层位于所述第一坝状物和所述第二坝状物之上,并且具有与所述第一有机层的高度基本相等的高度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
保护膜,位于所述基板之下。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述保护膜与显示区域隔开,并且位于所述显示装置的所述显示区域的内侧。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述保护膜的上边缘被倒圆。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述基板具有切口,
其中,所述切口与所述保护膜的所述上边缘隔开。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述切口具有三角形形状。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述切口具有半圆形形状。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述切口具有矩形形状。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述应力释放层位于ELVSS与所述第二坝状物之间。
14.一种显示装置,所述显示装置包括:
基板;
显示单元,位于所述基板上;
第一无机层,位于所述显示单元上;
第一有机层,位于所述第一无机层的上表面上;
第二无机层,位于所述第一有机层的上表面上;
第一坝状物,位于所述第一有机层的边缘处;
应力释放层,位于所述基板上并且位于在所述第一坝状物的相对于所述显示单元的外部区域处;以及
第二坝状物,与所述第一坝状物隔开并且位于所述应力释放层的边缘处,
其中,所述第一无机层和所述第二无机层直接接触的区域的端部位于所述第一坝状物与所述第二坝状物之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
保护膜,位于所述基板之下。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,所述保护膜具有被倒圆的上边缘。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其特征在于,所述基板在下表面处具有切口,
其中,所述切口与所述保护膜的所述上边缘隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的