[发明专利]太阳能电池模块在审

专利信息
申请号: 201511010596.4 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN106856212A 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 张佳文;林伟圣;陈松裕;陈锡铨 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/043 分类号: H01L31/043;H01L31/048
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 模块
【说明书】:

技术领域

发明有关于一种太阳能电池技术,且特别是有关于一种太阳能电池模块。

背景技术

传统硅晶太阳能电池封装结构,由入光面起始的结构依序为玻璃/EVA/硅晶电池/EVA/Tedlar。硅晶太阳能电池上方以玻璃及EVA等作为正面封装材料,硅晶太阳能电池下方通常以乙烯/醋酸乙烯酯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate,EVA)封装胶膜或者如聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl Butyral,PVB)、硅胶等材料作为太阳能电池的封装材料。

然而,由于EVA胶膜随着时间受光照、热、氧等作用,EVA胶膜吸收UV光后,材料因化学结构产生降解,颜色由透明转变成黄褐色,黄化为EVA胶膜使用上最大的缺点。EVA胶膜黄化后,使得入射光透过率下降,太阳能电池模块随使用时间增长,因太阳能电池上方的EVA封装胶膜黄化而造成效率递减,此为目前太阳能电池及模块对于寿命的最大问题。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池模块,能解决封装材料因吸收UV光产生黄化的问题,并具有能兼具封装与发电功效的构造。

本发明的太阳能电池模块,包括透明基板、第一太阳能电池单元、硅晶太阳能电池以及间隔物。第一太阳能电池单元位于透明基板与硅晶太阳能电池之间,且第一太阳能电池单元包括第一电极、第二电极与位于第一与第二电极之间的I-III-VI族半导体层至少包括镓(Ga)与硫(S),其能隙大于硅晶的能隙。而且,硅晶太阳能电池与第一太阳能电池单元是由所述间隔物分隔。

在本发明的一实施例中,上述第一太阳能电池单元吸收波长800nm以下的光。

在本发明的一实施例中,上述透明基板包括玻璃或塑料。

在本发明的一实施例中,上述I-III-VI族半导体层的材料包括铜铟镓硫(Cu(In,Ga)S2)、铜镓硫(CuGaS2)、铜银铟镓硫(Cu,Ag)(In,Ga)S2)、铜银镓硫(Cu,Ag)GaS2)、铜铟镓氧硫(Cu(In,Ga)(O,S)2)、铜镓氧硫(CuGa(O,S)2)、铜银铟镓氧硫(Cu,Ag)(In,Ga)(O,S)2)或铜铟镓硒硫(Cu(In,Ga)(Se,S)2)。

在本发明的一实施例中,上述第一与第二电极的材料各自独立包括透明导电膜、金属、导电高分子、有机-无机混合物或极性材料。

在本发明的一实施例中,上述第一与第二电极分别位于I-III-VI族半导体层的厚度方向的两面上。

在本发明的一实施例中,上述第一与第二电极分别位于I-III-VI族半导体层的对边,且第一与第二电极均与透明基板与间隔物接触。

在本发明的一实施例中,上述硅晶太阳能电池包括上部电极、下部电极与位于上部与下部电极之间的硅晶吸收层,且上部电极接近间隔物、下部电极远离间隔物。

在本发明的一实施例中,上述上部与下部电极的材料各自独立包括透明导电膜、金属、导电高分子、有机-无机混合物或极性材料。

在本发明的一实施例中,上述第一电极、第二电极、上部电极与下部电极具有位置相对的多个孔洞。

在本发明的一实施例中,上述间隔物全面地覆盖硅晶太阳能电池。

在本发明的一实施例中,上述间隔物部分覆盖硅晶太阳能电池,以于硅晶太阳能电池与第一太阳能电池单元之间构成一空间。

在本发明的一实施例中,上述空间内具有空气或惰性气体。

在本发明的一实施例中,上述太阳能电池模块还可包括背板与高分子绝缘物,其中背板是经由高分子绝缘物贴合于上述硅晶太阳能电池的出光表面。

在本发明的一实施例中,上述太阳能电池模块还可包括一外加基板、第二太阳能电池单元与封装层。外加基板位于硅晶太阳能电池的出光表 面,第二太阳能电池单元则位于外加基板与硅晶太阳能电池之间。封装层是位于硅晶太阳能电池与第二太阳能电池单元之间。

在本发明的一实施例中,上述第二太阳能电池单元的吸收层的能隙可小于硅晶的能隙。

在本发明的一实施例中,上述间隔物系设置在硅晶太阳能电池周围且厚度大于硅晶太阳能电池的厚度。

在本发明的一实施例中,上述透明基板的面积大于硅晶太阳能电池的面积。

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