[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.半导体发光元件，包括一基板，及依次形成于所述基板上的氮化物缓冲层、n型层、浅量子阱层、多量子阱层和p型层，其特征在于：于所述浅量子阱层和多量子阱层之间插入一复合结构层，所述复合结构层至少包括一p型掺杂GaN层、一n型掺杂GaN层及位于所述p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层之间的隔离层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：当注入电时，所述浅量子阱层、复合结构层和多量子阱层发光。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述隔离层的材料为Al_xIn_yGa_1-x-yN，0.1≤x≤0.2，0.1≤y≤0.35。

4.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：调整所述隔离层中Al和In的组分浓度，使所述浅量子阱层、复合结构层、多量子阱层发光波长范围一致。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述隔离层的禁带宽度大于所述p型掺杂GaN层与n型掺杂GaN层的禁带宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述p型掺杂层中的p型杂质分别向所述多量子阱层和浅量子阱层迁移，促进所述浅量子阱层与多量子阱层中电子与空穴复合。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述复合结构层还包括临近所述浅量子阱层的第一电子阻挡层、临近所述多量子阱层的第二电子阻挡层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一电子阻挡层、第二电子阻挡层用于控制所述p型掺杂GaN层中p型杂质向所述多量子阱层和浅量子阱层的迁移量。

9.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一电子阻挡层、第二电子阻挡层用于限制所述n型层的电子向所述多量子阱层的迁移速率，提高电子和空穴的有效复合机率。

10.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于：所述第一电子阻挡层与第二电子阻挡层均为AlGaN材料层。

11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述n型掺杂GaN层的厚度为800埃~950埃。

12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述p型掺杂GaN层的厚度为800埃~950埃。

13.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述p型掺杂GaN层中，p型杂质浓度为0.8×10¹⁸/cm³~1.2×10¹⁹/cm³。

14.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述n型掺杂GaN层中，n型杂质浓度为0.8×10¹⁷/cm³~1.2×10¹⁸/cm³。