[发明专利]白光发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201511014112.3 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105552183B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 朱学亮;张洁;邵小娟;杜成孝;刘建明;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 白光 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.白光发光二极管，包括空穴注入层、有源层和电子注入层，所述有源层具有两个相对的表面，分别为出光面和背光面，其特征在于：在所述有源层的出光面之上设置一由光子激发的量子阱，所述有源层与量子阱之间还设置有一势垒层，所述有源层的出光面邻近所述电子注入层，所述量子阱位于所述有源层与电子注入层之间，在电注入下所述有源层发射蓝光，其发射出的蓝光一部分穿过所述量子阱层向外射出，一部分激发所述量子阱发出黄光，两者混合后形成白光。
2.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：位于所述有源层与量子阱之间的势垒层为一n型掺杂的势垒层。
3.根据权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于：所述量子阱包含垒层和阱层，其中该垒层具有n型掺杂，其掺杂浓度为5×1017cm-3 ~ 5×1018cm-3。
4.白光发光二极管，包括空穴注入层、有源层和电子注入层，所述有源层具有两个相对的表面，分别为出光面和背光面，所述有源层的出光面邻近所述空穴注入层，其特征在于：在所述有源层的出光面之上设置一由光子激发的量子阱，所述有源层与量子阱之间还设置有一势垒层，在电注入下所述有源层发射蓝光，其发射出的蓝光一部分穿过所述量子阱层向外射出，一部分激发所述量子阱发出黄光，两者混合后形成白光。
5.根据权利要求4所述的白光发光二极管，其特征在于：所述量子阱位于所述空穴注入层之上方。
6.根据权利要求4所述的白光发光二极管，其特征在于：所述量子阱插入所述空穴注入层中。
7.根据权利要求4所述的白光发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层和所述量子阱共用同一结构，所述空穴注入层一方面为所述有源层提供空穴传输，另一方面吸收来自所述有源层的光子，产生新的电子空穴对并发生辐射复合发出黄光，向外射出的蓝光和黄光混合后形成白光。
8.根据权利要求6或7所述的白光 发光二极管，其特征在于：所述量子阱具有p型掺杂，其掺杂浓度为5×1018cm-3 ~ 1×1020cm-3。
9.根据权利要求1或4所述的白光发光二极管，其特征在于：通过调整所述量子阱的个数，调节黄光产生的比例，进而调整白光的色温。
10.根据权利要求9所述的白光发光二极管，其特征在于：所述量子阱的个数为3~10个。
11.根据权利要求1或4所述的白光发光二极管，其特征在于：所述量子阱为InGaN/GaN、InGaN/InGaN、InGaN/AlGaN、或InGaN/AlInGaN。
12.根据权利要求1或4或所述的白光发光二极管，其特征在于：所述量子阱包含阱层和垒层，其中垒层的厚度为20~200nm。
13.根据权利要求1或4所述的白光发光二极管，其特征在于：优化所述有源层和量子阱的结构，在电注入下使所述有源层发射出的蓝光量达到极大值。
14.白光发光二极管的制作方法，提供一具有至少具有空穴注入层、有源层和电子注入层的外延结构，所述有源层具有两个相对的表面，分别为出光面和背光面，其特征在于：在所述有源层的出光面之上设置一由光子激发的量子阱，所述有源层与量子阱之间还设置有一势垒层，所述有源层的出光面邻近所述电子注入层，所述量子阱位于所述有源层与电子注入层之间，在电注入下所述有源层发射蓝光，其发射出的蓝光一部分穿过所述量子阱层向外射出，一部分激发所述量子阱发出黄光，两者混合后形成白光。
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