[发明专利]一种硬盘用铝基铝镁合金基片及其制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种硬盘用铝基铝镁合金基片的制备工艺，属于铝合金材料领域。

背景技术

作为计算机硬盘的信息存储载体，铝镁合金基板需要均匀涂覆磁性膜，在磁头高 速运动中保证磁性膜平面能够稳定读写。为了满足轻质，刚性好，平面度和粗糙度优良，易 于加工的优点，同时为了实现无表面凹凸，特选用4N6及以上高纯铝作为铝基体，设计铝镁 合金，通过合适的铸造工艺、热处理和热轧、冷轧工艺，减少金属间化合物，降低材料缺陷 率，增强合金耐蚀性能。专利中所用高纯原料满足GB/T8644-2000和YS/T275-2008的规定。

2014年8TB容量的3.5寸机械硬盘已经量产，单碟容量高达1.6TB。随着电子信息行 业的不断进步，电子消费市场对高容量存储设备磁记录密度提出了更高的要求。铝镁合金 基片作为衬底，通过实施碱洗、酸洗、镀锌、无电解NiP镀覆处理，实现磁性载体的制备。铝镁 合金的缺陷、金属间化合物影响磁性材料的镀覆结果，其表现在铝镁合金基片上存在的表 面凹凸降低镀膜表面的平滑性。

硬盘用铝镁合金基片最初采用5086合金，当前使用的合金成分在5086的基础上进 行了历次调整，主要成分含有Mg，Si，Fe，Cr，Zn，Cu，这些元素尤其是Si、Fe容易形成粗大的 金属间化合物，形成的Mg-Si系和Al-Fe系金属间化合物会造成电镀前处理时脱落后形成大 小不一的孔洞缺陷，这样在无电解镀覆处理时，镀的膜深浅不一，影响成膜质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有的难题，提供了一种表面金属间化合物少的 硬盘用铝基铝镁合金基片；

本发明的另一目的是提供上述硬盘用铝基铝镁合金基片的制备工艺。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

一种硬盘用铝基铝镁合金基片，包括如下质量百分比的成分：

Mg：3.5-6.0%，Cr：0.05-0.1%，Cu：0.01-0.1%，Zn：0.05-0.4%，Si≤0.01%，Fe≤0.01%。

优选的，采用原料为各元素高纯基体，其中包括：铝高纯基体采用4N6及纯度4N6以 上的铝基体、Mg、Cr、Cu、Zn元素纯度基体的纯度为4N9及4N9以上。

优选的，原料经过熔铸→均热热轧→冷轧→冲压成型→清洗烘干→加压退火→形 成铝基盘片，即硬盘用铝基铝镁合金基片。

进一步优选的，所述熔铸工序，从熔炼保温炉流出的合金液首先经过在线除气装 置处理，通过惰性气体的石墨转子对合金液进行搅拌。

进一步优选的，冷扎后的铝镁合金板材通过冲床冲压成环状盘片。

进一步优选的，清洗烘干过程，通过清洗清除前期带油。

进一步优选的，所述加压退火，通过施加吨的压力，并持续压力下进行退火处理。

本发明有益效果：

本发明硬盘用铝基铝镁合金基片，通过限定Si和Fe的含量，达到Al-Fe系金属间化合物 的最大长度为6m以下，Mg-Si系金属间化合物的最大长度为3m以下。所形成的金属间化合物 的非常少，莱卡显微镜500x视野下，金属间化合物的腐蚀孔数量小于等于50个。

本发明制备工艺所述铝镁合金基片所用铝基体使用4N6的高纯铝时，通过在线除 气除渣处理，铝镁合金基片0.1mm²内金属间化合物的数量不超过15个。所述铝镁合金基片 所用铝基体使用5N的高纯铝，通过在线除气除渣处理，铝镁合金基片0.1mm²内金属间化合 物的数量不超过10个。所述铝镁合金基片所用铝基体使用5N5的高纯铝，通过在线除气除渣 处理，铝镁合金基片0.1mm²内金属间化合物的数量不超过5个。

具体实施方式

以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用 于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1：