[发明专利]一种GF单层多点无边框触摸屏及其制备工艺

权利要求书

1.一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于：包括从上往下依次设置的钢化玻璃盖板、透明光学胶层及ITO导电膜，所述ITO导电膜的边框为走线区，所述走线区包括设置于触摸屏一端的横向走线区，所述ITO导电膜设有单端出线的单层多点电极图案，ITO导电膜的引出线对应设置于横向走线区，所述横向走线区压合FPC，ITO导电膜的引出线通过FPC连接有一IC芯片，钢化玻璃盖板的下表面设置有防爆层，钢化玻璃盖板的上表面设置防反光层，所述FPC包括FPC主体区及连接于FPC主体区末端的FPC延长区，FPC主体区包括金手指，金手指距离FPC边缘的距离为3-8mm；

所述GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，包括以下步骤：

前段工序

(A1)ITO镀膜：在PET基材层的正面沉积SiO₂阻挡层，采用磁控溅射法在已沉积SiO₂阻挡层的PET基材层正面镀ITO薄膜，在磁控溅射的同时采用紫外光照射；然后真空退火，得到ITO导电膜粗品；

(A2)清洗：对ITO导电膜粗品进行清洗；

(A3)蚀刻去除：采用激光蚀刻将ITO导电膜粗品位于预设视窗区之外的ITO薄膜除去；

(A4)印刷导电银浆：在ITO导电膜粗品的激光蚀刻区域印刷导电银浆，形成导电银浆层，对导电银浆进行激光蚀刻银浆线，形成横向走线区；

(A5)烘烤：对蚀刻有银浆线的ITO导电膜粗品进行烘烤；

(A6)蚀刻电极图案：对ITO导电膜粗品的预设视窗区进行激光蚀刻蚀刻电极图案；

(A7)覆膜：在印刷导电银浆后的ITO导电膜粗品覆上保护膜；

(A8)裁切：裁切形成FILM功能片；

后端工序

(B1)ACF绑定：对前段工序做好的FILM功能片绑定ACF导电胶；

(B2)FPC热压：对贴好的ACF导电胶的FILM功能片的横向走线区热压FPC；

(B3)透明光学胶层贴合：对压合好FPC的FILM功能片贴合透明光学胶层；

(B4)组合：将贴好透明光学胶层的FILM功能片和钢化玻璃盖板进行组合，钢化玻璃盖板设置有防爆层和防反光层，得到一种GF单层多点无边框触摸屏；

其中，所述步骤A4中银浆由以下重量百分比的原料组成：

以上重量百分比之和为100％，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为30-50μm，所述纳米银粉末的粒径为20-50nm；所述石墨粉末由质量比为1:20-1:30的微米石墨粉末和纳米石墨粉末组成，所述微米石墨粉末的粒径为30-50μm，所述纳米石墨粉末的粒径为20-40nm；所述二氧化硅粉末的粒径为10-30nm；所述防沉降剂为聚酰胺蜡或酰胺改性氢化蓖麻油；

其中，所述步骤A4中导电银浆的激光蚀刻速度为1500-2500mm/s，蚀刻功率为10-30W,蚀刻频率为100-200kHz。

2.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于：所述钢化玻璃盖板的上表面为向上突起的弧形曲面。

3.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于：所述防反光层为纳米氧化钛硅层。

4.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏，其特征在于：所述防反光层为纳米氧化锌和纳米硒化镉混合层。

5.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于：所述步骤A1中溅射功率为50-300W。

6.根据权利要求1所述的一种GF单层多点无边框触摸屏的制备工艺，其特征在于：所述步骤A4中导电银浆层的厚度为5-9um，边缘银浆线与导电银浆边缘的距离为150-400um。