[发明专利]氧化锗预清洁模块和方法

说明书

本发明涉及氧化锗预清洁模块和方法。在一些实施方案中，一种用于集成电路制造的方法包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中所述表面包括硅和锗。去除所述氧化物材料包括将含卤素的预清洁材料沉积在含氧化硅的表面上，并且升华所述含卤素的预清洁材料的一部分以暴露所述表面上的硅。将钝化膜沉积在暴露硅上。所述钝化膜可包括氯。所述钝化膜可防止硅表面受来自稍后升华的化学物质污染，稍后升华可在高于较早升华的温度下。随后，使所述含卤素的预清洁材料的剩余部分和所述钝化膜升华。随后可将如导电材料的目标材料沉积在衬底表面上。

技术领域

本发明涉及集成电路的制造，具体而言涉及用于预清洁衬底表面的方法和设备。

背景技术

集成电路的制造常常会涉及在衬底表面上一个或多个材料层的形成。这些材料层可包括例如单晶、多晶和/或无定形材料层。材料层的形成可使用各种薄膜沉积技术来实现，所述技术包括各种物理 (例如，物理溅射)和/或化学(例如，化学气相沉积、原子层沉积和/或外延沉积)沉积技术。举例来说，衬底表面上的单晶材料形成可使用如用于单晶半导体材料(例如，单晶硅)的形成的外延沉积工艺进行。

衬底表面上居间材料(例如，天然氧化物层，如硅-锗衬底上包含硅和锗的氧化物材料层)的存在可能干扰在所述衬底表面上所需材料层的形成。举例来说，居间材料可能造成在所需材料层的结构中引入增加数目的缺陷，和/或可能不利地影响所需材料层的电性能。在一些实施方案中，如天然氧化物材料的居间材料可能由于在集成电路制造工艺程期间将衬底暴露于氧(例如，在制造系统之间转移衬底期间暴露于周围空气，和/或暴露于制造系统内的残余氧化剂)而在衬底表面上形成。

因此，对用于在衬底表面上形成高质量层的工艺存在持续需要。

发明内容

一种用于集成电路制造的方法可包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中表面包括硅和锗。去除氧化物材料可包括将含卤素的预清洁材料沉积在表面上，并且使含卤素的预清洁材料的一部分升华以暴露表面上的硅。可将钝化材料沉积在暴露硅上。在一些实施方案中，钝化材料包含氯。

一种用于集成电路制造的方法可包括从衬底的表面去除氧化物材料，其中衬底包括硅和锗。去除氧化物材料可包括将含氯的钝化材料沉积在衬底的表面上，并且使含氯的钝化材料升华而实质上不蚀刻衬底。

一种用于集成电路制造的方法可包括从衬底的表面去除含锗的氧化物材料，其中衬底包括锗。去除含锗的氧化物材料可包括由含锗的氧化物材料形成含卤素和锗的预清洁材料，并且使含卤素和锗的预清洁材料升华。

附图说明

参照某些实施方案的图式来描述本公开的各种特征、方面和优势，所述图式意图示出某些实施方案而不限制本发明。

图1示出衬底表面预清洁工艺的实例。

图2示出设备的实例，所述设备被配置来进行衬底表面预清洁工艺。

图3示出暴露于不同衬底表面预清洁工艺的衬底的界面含氧量。

图4示出暴露于不同衬底表面预清洁工艺的衬底的表面粗糙度。

具体实施方式

本文所述的各种实施方案涉及一种用于从衬底的暴露表面去除氧化物材料的预清洁工艺。应理解，所得的预清洁表面可提供促进材料的高质量层的稍后形成(如硅的外延生长)的表面。