[发明专利]开关模块及其控制方法

权利要求书

1.一种开关模块，其特征在于，所述开关模块包括CMOS开关和控制电路，所述CMOS开关包括栅极、源极、漏极和衬底，所述控制电路包括第一开关、第二开关、第一电阻、栅极关断信号输入端、栅极导通信号输入端和控制模块；

所述栅极关断信号输入端与所述第一开关的输入端连接，所述第一开关的输出端与所述栅极连接，其中，所述栅极关断信号输入端和所述栅极之间没有额外的电阻；所述栅极导通信号输入端与所述第二开关的输入端连接，所述第二开关的输出端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述栅极连接；

所述控制模块与所述第一开关和第二开关的控制端连接，用于控制所述第一开关断开、第二开关闭合，使所述栅极导通信号输入端通过所述第一电阻向所述栅极输入栅极导通信号，以控制所述CMOS开关导通，或者，控制所述第一开关闭合、第二开关断开，使所述栅极关断信号输入端向所述栅极输入栅极关断信号，以控制所述CMOS开关关断。

2.根据权利要求1所述的开关模块，其特征在于，所述控制电路还包括第三开关、第四开关、第二电阻、衬底关断信号输入端和衬底导通信号输入端；

所述衬底关断信号输入端与所述第三开关的输入端连接，所述第三开关的输出端与所述衬底连接，所述衬底导通信号输入端与所述第四开关的输出端连接，所述第四开关的输出端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述衬底连接，且所述第三开关和第四开关的控制端与所述控制模块连接；

所述控制模块还用于在所述CMOS开关导通时，控制所述第三开关断开、第四开关闭合，以使所述衬底关断信号输入端向所述衬底输入衬底关断信号，在所述CMOS开关关断时，控制所述第三开关闭合、第四开关断开，以使所述衬底导通信号输入端通过所述第二电阻向所述衬底输入衬底导通信号，以使所述衬底的电压与所述源极电压或漏极电压相同。

3.根据权利要求1所述的开关模块，其特征在于，所述控制电路还包括第三开关、第四开关和衬底关断信号输入端；

所述衬底关断信号输入端与所述第三开关的输入端连接，所述第三开关的输入端与所述衬底连接，所述第四开关的输入端与所述源极或漏极连接、输出端与所述衬底连接，且所述第三开关和第四开关的控制端与所述控制模块连接；

所述控制模块还用于在所述CMOS开关导通时，控制所述第三开关断开、第四开关闭合，以使所述衬底关断信号输入端向所述衬底输入衬底关断信号；在所述CMOS开关关断时，控制所述第三开关闭合、第四开关断开，以使所述衬底的电压与所述源极或漏极的电压相同。

4.根据权利要求2或3所述的开关模块，其特征在于，所述第一开关和第三开关为PMOS晶体管，所述第二开关和第四开关为NMOS晶体管；

或者，所述第一开关和第三开关为NMOS晶体管，所述第二开关和第四开关为PMOS晶体管；

其中，所述第一开关至第四开关的输入端为所述NMOS晶体管或PMOS晶体管的源极、输出端为所述NMOS晶体管或PMOS晶体管的漏极、控制端为所述NMOS晶体管或PMOS晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的开关模块，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻的阻值根据所述源极输入的模拟信号的最高频率计算得出。

6.根据权利要求1所述的开关模块，其特征在于，所述CMOS开关为PMOS晶体管或NMOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的开关模块，其特征在于，所述源极与模拟信号输入端连接，所述漏极与负载连接，所述模拟信号输入端用于向所述源极输入模拟信号。

8.一种开关模块的控制方法，其特征在于，应用于权利要求1～7任一项所述的开关模块，所述控制方法包括：

控制第一开关断开、第二开关闭合，使栅极导通信号输入端通过第一电阻向栅极输入栅极导通信号，以控制所述CMOS开关导通；

控制所述第一开关闭合、第二开关断开，使栅极关断信号输入端向所述栅极输入栅极关断信号，以控制所述CMOS开关关断。

9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，还包括：

在所述CMOS开关导通时，控制第三开关断开、第四开关闭合；

在所述CMOS开关关断时，控制所述第三开关闭合、第四开关断开。