[发明专利]过压保护电路及植入式有源电子医疗装置

权利要求书

1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：第一MOS场效应管、第二MOS 场效应管、第三MOS场效应管、第四MOS场效应管及桥式整流器，所述第一MOS 场效应管的源极和漏极中的一个与所述过压保护电路的第一输入端子连接，另 一个与所述桥式整流器的第一输入端子连接，所述第二MOS场效应管的源极和 漏极中的一个与所述过压保护电路的第二输入端子连接，另一个与所述桥式整 流器的第二输入端子连接，所述第一MOS场效应管的栅极与所述第三MOS场效 应管的源极和漏极中的一个连接，所述第三MOS场效应管的源极和漏极中的另 一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，所述第二MOS场效应管的栅极 与所述第四MOS场效应管的源极和漏极中的一个连接，所述第四MOS场效应管 的源极和漏极中的另一个与所述桥式整流器的非接地输出端子连接，并且所述 第三MOS场效应管与所述第四MOS场效应管的栅极与过压检测电路的输出端连 接。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述第一MOS场效 应管的栅极同与之连接的第三MOS场效应管的源极或漏极之间串联有第一限流 电阻，所述第二MOS场效应管的栅极同与之连接的第四MOS场效应管的源极或 漏极之间串联有第二限流电阻。

3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述桥式整流器的 输入端口的两个输入端子之间并联有第一保护电容。

4.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述桥式整流器的 输出端口的两个输出端子之间并联有第二保护电容。

5.根据权利要求3或4所述的过压保护电路，其特征在于，若所述过压检 测电路未检测到过压，则所述第三MOS场效应管及所述第四MOS场效应管导通， 而若所述过压检测电路检测到过压，则所述第三MOS场效应管及所述第四MOS 场效应管截止。

6.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述桥式整流器是 单相桥式整流器。

7.一种植入式有源电子医疗装置，其特征在于，所述植入式有源电子医疗 装置包括权利要求1至6任一所述的过压保护电路。