[发明专利]慢中子转换体及慢中子探测器

权利要求书

1.一种慢中子转换体，其特征在于，包括：

基体，包括沿第一方向延伸的多个孔洞和所述多个孔洞之间的绝缘壁；

硼层，至少覆盖所述多个孔洞的暴露表面，

所述多个孔洞为贯穿孔洞；

其中所述绝缘壁包括芳纶纸；以及

慢中子转换体中产生的电子在沿第一方向延伸的电场的驱动下向慢中子转换体的一端漂移。

2.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中每个孔洞具有圆形或多边形截面。

3.如权利要求2所述的慢中子转换体，其中每个孔洞具有正多边形截面。

4.如权利要求3所述的慢中子转换体，其中每个孔洞具有正六边形截面且所述多个孔洞均匀排布，从而所述慢中子转换体具有蜂窝状结构。

5.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中每个孔洞具有0.1mm至20mm范围内的内切圆直径。

6.如权利要求5所述的慢中子转换体，其中每个孔洞具有3mm至10mm范围内的内切圆直径。

7.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中所述基体沿所述第一方向具有1cm至30cm范围内的高度。

8.如权利要求7所述的慢中子转换体，其中所述基体沿所述第一方向具有10cm至15cm范围内的高度。

9.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中所述硼层包括^natB。

10.如权利要求9所述的慢中子转换体，其中所述硼层具有0.232-0.694mg/cm²的质量厚度。

11.如权利要求9所述的慢中子转换体，其中所述硼层具有0.3-0.4mg/cm²的质量厚度。

12.如权利要求9所述的慢中子转换体，其中所述硼层具有0.37mg/cm²的质量厚度。

13.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中所述基体具有立方体或长方体形状。

14.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中所述绝缘壁具有1微米至50微米范围内的厚度。

15.如权利要求1所述的慢中子转换体，其中所述绝缘壁具有5微米至20微米范围内的厚度。

16.一种慢中子探测器，其特征在于，包括：

如权利要求1-15中任一项所述的慢中子转换体，其中所述多个孔洞中填充电离工作气体；

阴极极板，设置在所述慢中子转换体的一端；

电子倍增器，设置在所述慢中子转换体的另一端；

阳极极板，与所述电子倍增器相对设置，所述阴极极板和所述阳极极板用于在二者之间形成电场。

17.如权利要求16所述的慢中子探测器，其中所述电子倍增器包括气体电子倍增器、微网平面气体探测器。

18.如权利要求16所述的慢中子探测器，还包括具有圆柱状结构的场笼，所述场笼围绕所述慢中子转换体。

19.如权利要求18所述的慢中子探测器，其中所述场笼包括多个同轴铜圈，所述多个同轴铜圈用于分别加上梯度电压。

20.如权利要求18所述的慢中子探测器，还包括设置在所述场笼两侧的保护环。