[发明专利]一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺

权利要求书

1.一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤

第一步、用8-10％的HF酸，通过滚轮带液的方式，将扩散后硅片非扩散面和边缘 的磷硅玻璃去除；

第二步、在可加热的不锈钢槽中，用5-30％的四甲基氢氧化铵，70-80℃下，腐蚀 150-300s，利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性，用四甲基氢氧化 铵对非扩散面和边缘进行腐蚀，去除PN结，达到刻蚀PN结同时抛光的效果；

第三步、纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释，时间10-50s， 对硅片进行降温；

第四步、在PVDF材质的槽中，用15％左右的盐酸，常温下，对四甲基氢氧化铵进 行中和，时间50s；

第五步、在PVDF材质的槽中，用10-20％的HF酸，常温下，去除硅片扩散面的磷 硅玻璃；

第六步、在PVDF材质的槽中，用溢流水，洗净残留的HF酸。