[发明专利]LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置有效

专利信息
申请号: 201511020688.0 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN105449044B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 席曦;李果华;孙健刚 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 代理人: 林弘毅,聂汉钦
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: led 太阳电池 光诱导 钝化 缺陷 修复 装置
【权利要求书】:

1.一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征在于:包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台,还包括:

一个LED光源系统,包括用于发出光线的LED阵列;

一个光学汇聚系统,设置所述LED阵列的发光光路上,将LED阵列发出的光线汇聚到检测台上的检测区域;

一个控制器,用以修改LED阵列所发光线的参数,并且对硅太阳电池的钝化与缺陷参数进行分析运算。

2.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:所述光学汇聚系统包括多个透镜和反射系统;LED阵列包括多个LED灯珠,所述透镜一一对应安装在LED灯珠前端;LED阵列所发光线穿过透镜照射到检测台上的检测区域;所述反射系统包括围绕检测台四周设置的、反射面向内的反射镜。

3.根据权利要求2所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:还包括扩散玻璃,所述扩散玻璃安装于LED阵列和检测台之间。

4.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:所述LED阵列到达检测台的光的最高辐照强度为不低于十倍的标准太阳条件且到达检测台的光的辐照强度均匀一致;所述标准太阳条件为光子流密度满足AM1.5;当用一种以上发光波段的LED灯珠组成LED阵列时,不同发光波段的LED灯珠对称排列。

5.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:所述LED光源系统还包括光强校正系统,对到达检测台上的检测区域的光强进行调节,以达到所需的辐照强度。

6.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:所述控制器包括连接在控制器上的键盘和液晶显示器。

7.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:还包括散热装置,所述散热装置包括水冷系统和风冷系统;所述水冷系统包括第一制冷机、水槽、水泵和散热板;所述散热板安装在LED阵列的上表面;所述第一制冷机的出水口连接水槽,对水槽中的散热用水制冷降温;所述水泵将水槽中的散热用水压入散热板的入水口;所述散热板的吹水口连接制冷机的入水口,散热用水带走LED阵列的热量并流回制冷机;所述风冷系统包括第二制冷机和风机;所述风机将第二制冷机制造的冷空气吹向LED阵列的下表面。

8.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:所述LED光源系统还包括驱动电源;所述驱动电源包括分压电路、降压型直流电源变换芯片(IC1)、运算放大器(IC2)、肖特基二极管(D2)和滤波线圈(L1);所述降压型直流电源变换芯片(IC1)的型号为XL4005;所述分压电路的电压输出端连接运算放大器(IC2)的反相输入端;运算放大器(IC2)的输出端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第二端口(FB),所述运算放大器(IC2)的正电源端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第五端口(VIN),运算放大器(IC2)的负电源端接地;肖特基二极管(D2)的正极接地,负极连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第三端口(SW);降压型直流电源变换芯片(IC1)的第一端口(GN)接地;所述滤波线圈(L1)的第一端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第三端口(SW),第二端为为驱动电路的正输出端,运算放大器(IC2)的同相输入端作为驱动电路的负输出端;

多个LED灯珠串联为LED灯珠串;多个LED灯珠串并联在驱动电路的正输出端和负输出端之间。

9.根据权利要求8所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:包括多组驱动电源,每组驱动电源可调控其输出电流,进而调节连接在其上的LED灯珠串的发光强度。

10.根据权利要求1所述的LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置,其特征是:还包括恒温系统,连接在检测台上,用以保持太阳电池片的温度为300摄氏度。

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