[发明专利]具有高WN/W蚀刻选择性的剥离组合物

权利要求书

1.用于清洁集成电路衬底的组合物，所述组合物包含：

a.水；

b.氧化剂，其包含氧化物质的铵盐；

c.腐蚀抑制剂，其包含具有通式R'NH₂的伯烷基胺，其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基；

d.任选的水可混溶的有机溶剂；

e.任选的包含羧基的有机酸和/或其酸酐；

f.任选的缓冲物质；

g.任选的氟化物离子源；和

h.任选的金属螯合剂；

其中“约”对应于设定值的±5％。

2.权利要求1所述的组合物，其中R'是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基。

3.权利要求1所述的组合物，其中所述金属螯合剂存在且为选自(乙二胺)四乙酸、丁二胺四乙酸、(1,2-环己二胺-)四乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四丙酸、(羟乙基)乙二胺三乙酸、N,N,N',N'-乙二胺四(亚甲基膦)酸、三乙四胺六乙酸、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸、甲基亚氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、氨三乙酸、柠檬酸、酒石酸、葡糖酸、糖二酸、甘油酸、草酸、邻苯二甲酸、马来酸、扁桃酸、丙二酸、乳酸、水杨酸、儿茶酚、没食子酸、没食子酸丙酯、连苯三酚、8-羟基喹啉和半胱氨酸中的一种或多种。

4.权利要求3所述的组合物，其中所述金属螯合剂为选自(乙二胺)四乙酸、(1,2-环己二胺-)四乙酸和N,N,N',N'-乙二胺四(亚甲基膦)酸中的一种或多种。

5.用于清洁集成电路衬底的组合物，所述组合物由以下组成：

约12到约25wt.％的水；

约0.50到约2.0wt.％的氧化剂，其包含氧化物质的铵盐；

约0.01到约3.0wt.％的腐蚀抑制剂，其包含具有通式R'NH₂的伯烷基胺，其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基；

约5到约60wt.％的水可混溶的有机溶剂；

约0.2到约10wt.％的缓冲物质；和

约0.1到约3wt.％的氟化物离子源；

其中“约”对应于设定值的±5％。

6.权利要求5所述的组合物，其中R'是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基。

7.前述权利要求任一项所述的组合物，其具有3.0-6.5的pH。

8.权利要求1-6中任一项所述的组合物，其中所述氧化物质的铵盐选自亚氯酸铵、氯酸铵、碘酸铵、过硼酸铵、高氯酸铵、高碘酸铵、过硫酸铵、四甲基亚氯酸铵、四甲基氯酸铵、四甲基碘酸铵、四甲基过硼酸铵、四甲基高氯酸铵、四甲基高碘酸铵、四甲基过硫酸铵及其组合。

9.权利要求8所述的组合物，其中所述氧化物质的铵盐是过硫酸铵。

10.权利要求1-6中任一项所述的组合物，其中所述缓冲物质包含弱酸的四烷基铵盐，其中

所述四烷基铵盐包括由[NR¹R²R³R⁴]⁺表示的四烷基铵阳离子，其中R¹、R²、R³和R⁴可以彼此相同或不同且选自C₁-C₆直链或支链烷基或C₆-C₁₀取代或未取代的芳基，和

所述弱酸选自硼酸、乳酸、马来酸、抗坏血酸、苹果酸、苯甲酸、富马酸、琥珀酸、草酸、丙二酸、扁桃酸、马来酸酐、乙酸、丙酸、柠檬酸、邻苯二甲酸、芳族羧酸及其组合。

11.权利要求10所述的组合物，其中所述缓冲物质是柠檬酸的四甲基铵盐或硼酸的四甲基铵盐。