[发明专利]用于形成荧光粉转换型发光装置中的薄膜荧光粉层的系统和方法

权利要求书

1.一种形成用于发光装置的薄膜荧光粉层的方法，所述方法包括：

直接在发光二极管芯片上形成第一荧光粉末层，所述第一荧光粉末层由在发光二极管芯片的表面上分布的松散堆积的第一荧光粉颗粒组成；和

通过聚合物前体的化学气相沉积在所述第一荧光粉末层上形成第一聚合物层，所述第一聚合物层用作所述第一荧光粉颗粒的粘合剂并且填充所述第一荧光粉颗粒之间的空隙。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在靠近第一聚合物层处形成第二聚合物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一聚合物层和第二聚合物层包括不同的聚合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一聚合物层和所述第二聚合物层中的至少一者包括含有式-CZZ'-Ar-CZ”Z”'-的重复单元的聚合物，其中Ar选自(1)未取代的亚苯基，(2)式C₆H_4-xCl_x的氯取代的亚苯基，其中x为1至4的整数，和(3)式C₆H_4-x’F_x’的氟取代的亚苯基，其中x'为1至4的整数，且Z、Z'、Z”和Z”'独立地选自H、F、烷基和芳基。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在靠近所述第一聚合物层处形成第二荧光粉末层，所述第二荧光粉末层包括靠近所述第一聚合物层表面分布的第二荧光粉颗粒；和

在靠近所述第二荧光粉末层处形成第二聚合物层，所述第二聚合物层用作所述第二荧光粉颗粒的粘合剂，

其中所述第一荧光粉颗粒和所述第二荧光粉颗粒被构造成发出不同颜色的光。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在靠近所述第二聚合物层处形成第三荧光粉末层，所述第三荧光粉末层包括靠近所述第二聚合物层分布的第三荧光粉颗粒；和

在靠近所述第三荧光粉层处形成第三聚合物层，所述第三聚合物层用作所述第三荧光粉颗粒的粘合剂，

其中所述第一荧光粉颗粒、所述第二荧光粉颗粒和所述第三荧光粉颗粒被配置成发出不同颜色的光。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一荧光粉末层包括使所述第一荧光粉颗粒直接沉积在发光二极管芯片表面上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一荧光粉颗粒分散在所述第一聚合物层之内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物层包括有机硅聚合物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一荧光粉末层包括：

在用电离气体使所述第一荧光粉颗粒带电的同时，将所述第一荧光粉颗粒沉积到发光二极管芯片上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物层的厚度范围为10nm到100μm。

12.一种形成用于发光装置的薄膜荧光粉层的方法，所述方法包括：

直接在发光二极管芯片上形成荧光粉末层，所述荧光粉末层由在发光二极管芯片的表面上分布的松散堆积的荧光粉颗粒组成；

通过聚合物前体的化学气相沉积在所述荧光粉末层上形成第一聚合物层，所述第一聚合物层用作所述荧光粉颗粒的粘合剂并且填充所述荧光粉颗粒之间的空隙；和

在所述第一聚合物层上形成第二聚合物层，

其中所述第二聚合物层包括有机硅聚合物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一聚合物层的折射率大于所述第二聚合物层的折射率。