[发明专利]脉搏波阵列式传感器采集系统及方法在审

专利信息
申请号: 201511021510.8 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN105640513A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 张劭龙;刘苏;张以涛;耿兴光;侯洁娜;张海英 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: A61B5/02 分类号: A61B5/02;A61B5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 脉搏 阵列 传感器 采集 系统 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及传感器技术领域,更具体地涉及一种脉搏波阵列式传感器 采集系统及方法。

背景技术

中医脉诊具有两千多年临床实践,这是我国传统中医四诊中的精髓之 一。脉搏信息在中医临床方面有着十分重要的意义。在传统中医脉诊中, 切脉技巧复杂,难以掌握和运用,医生主观因素影响也较大,诊断标准不 一。由于中医缺少设备上面的辅助,缺少客观化、定量化的标准,使得中 医传承愈加困难。几十年来,国内外研制出了不同的脉象仪,用于脉诊的 客观化研究,但从目前研制情况看,大部分传感器不能很好的定位中医切 脉时所取寸、关、尺三部,按三部九候诊法检测脉搏信号。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一方便使用的便携式中医脉诊诊疗 辅助设备,以便能够快速简便的检测分析脉搏波信息,为医生、患者提供 有效的诊断依据。

为实现上述目的,作为本发明的一个方面,本发明提供了一种脉搏波 阵列式传感器采集系统,包括:

若干压电薄膜传感器,所述若干压电薄膜传感器为以阵列式排列的 PVDF膜传感器,用于将脉搏的压力信号转换为电压信号。

其中,所述若干压电薄膜传感器包括若干组PVDF膜阵列,每一组 PVDF膜阵列包括横向3个×纵向3个共九个PVDF膜传感器。

其中,所述PVDF膜传感器为3mm×3mm单点PVDF压电薄膜传感 器,每个单点PVDF压电薄膜传感器之间距离低于1mm。

作为本发明的另一个方面,本发明还提供了一种脉搏波的采集方法, 包括以下步骤:

采用如上所述的脉搏波阵列式传感器采集系统,将所述阵列式排列的 PVDF膜传感器压在手腕处脉管上方;袖带加压后控制加压力度的大小来 调整浮、中、沉三种深度;所述PVDF膜传感器捕捉到由于动脉管的跳动 而产生的动态压力值后将脉搏的压力信号转换为电压信号。

基于上述技术方案可知,本发明的脉搏波阵列式传感器采集系统具有 以下优点:

(1)本发明的压力传感器部分是阵列式的PVDF(聚偏二氟乙烯)压 电薄膜,之所以选择PVDF压电薄膜,因为它有如下几个优点:①压电常 数大(d33=20pC/N),变力响应灵敏度高,比石英晶体高10倍,压电电 压输出常数g=174是所有压电体中最高的;在非常高的交变电场中不至 于去极化,单位体积能获得大的输出功率,因为换能器单位体积最大输出 功率正比于机电耦合系数和能承受的最大电场强度的平方;②膜轻且柔韧, 易于制备,与人体组织的阻抗耦合性好,能紧贴皮肤,使得脉搏信号通过 薄膜而不失真;另外由于薄膜类似于人类皮肤,可以制作仿生触觉传感器; ③机械品质因素低,阻尼小,密度低,具有宽带特性,能满足脉搏信号的 频率特性;人体的脉搏频率非常低,约为0.5~4Hz,一般情况下为1Hz 左右;由于PVDF膜的柔性及其厚度方向伸缩振动的谐振频率很高,使得 在很宽范围内有平坦的频率响应(响应范围是0.1-100MHz)。因此,从 理论上讲,PVDF换能器能检测微弱低频的脉搏信号;

(2)阵列式薄膜传感器是由多个3*3mm2的正方形PVDF换能器成阵 列式排列,每个点阵之间距离低于1mm,这种结构可以保证完全采集到寸、 关、尺三个位置的信息,避免了传统脉搏波传感器需要繁琐的人工调节, 利用算法确定寸、关、尺,可以更加精确的定位,排除了人为的误差;

(3)PVDF压电传感器利用硅胶封装固定,并固定在手腕式空气袖带 上;利用单片机对空气泵的精确控制,可以对手腕位置进行逐渐加压测量, 有效解决目前脉搏传感器难以定位、难以定标浮、中、沉的问题;

(4)电荷放大电路的高阻抗输入可以很好的捕捉到PVDF薄膜产生 的微弱电荷;

(5)在皮肤上引入参考地电极可以有效的消除50Hz工频信号,大幅 度地简化了电路,实现电路小型化设计。

附图说明

图1为本发明的脉搏波阵列式传感器采集系统的工作流程图;

图2为本发明的阵列式传感器设计示意图;

图3为本发明的腕带式结构设计示意图;

图4为本发明的腕带式加压模块设计示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实 施例,并参照附图,对本发明作进一步的详细说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511021510.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top