[发明专利]碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数测定方法及装置

权利要求书

1.一种碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据金Au在碲镉汞HgCdTe中的预设分凝系数得到单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量M3；根据Au-HgCdTe薄膜中规定的Cd的组分及HgCdTe的相图分别得到Au-HgCdTe母液中Hg、Cd、Te的称取质量M_Hg、M_Cd及M_Te；计算Au-HgCdTe母液的密度ρ和Au-HgCdTe母液的体积V；根据所述M3和所述V计算Au-HgCdTe母液中Au的称取质量M_Au；

根据所述M_Au、M_Hg、M_Cd及M_Te分别称量Au、Hg、Cd、Te后进行合成得到Au-HgCdTe母液；

将所述Au-HgCdTe母液在CdZnTe衬底上液相外延形成Au-HgCdTe薄膜，所述CdZnTe衬底和Au-HgCdTe薄膜共同构成外延材料，去除所述外延材料中的CdZnTe衬底，得到质量为M1的Au-HgCdTe薄膜；

对所述Au-HgCdTe薄膜进行浓度检测，得到所述Au-HgCdTe薄膜中的Au的浓度，并根据所述浓度和所述Au-HgCdTe薄膜的质量M1计算单位质量Au-HgCdTe薄膜中Au的含量M2，根据所述Au-HgCdTe母液的密度ρ和所述M2，得到单位体积Au-HgCdTe薄膜中Au的含量M4；

根据所述M3和M4计算碲镉汞富碲液相外延金原位掺杂分凝系数K。

2.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，根据金Au在碲镉汞HgCdTe中的预设分凝系数得到单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量M3具体包括以下步骤：

通过公式1，根据规定的Au-HgCdTe薄膜中Au的目标掺杂浓度n，得到规定的单位质量Au-HgCdTe薄膜中Au的含量A；

A＝n/(6.02×10²³)×Au的相对原子质量公式1；

通过公式2，根据金Au在碲镉汞HgCdTe中的预设分凝系数K1和所述A得到单位体积Au-HgCdTe母液中Au的含量M3，所述K1的取值范围为1×10^-5～1：

M3＝A/K1公式2。

3.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，计算Au-HgCdTe母液的密度ρ和Au-HgCdTe母液的体积V具体包括以下步骤：

根据M_Hg、M_Cd及M_Te得到Hg、Cd、Te的摩尔比，根据Hg、Cd、Te的摩尔比得到Au-HgCdTe母液的密度；

根据Au-HgCdTe母液的质量M和Au-HgCdTe母液的密度ρ得到Au-HgCdTe母液的体积V。

4.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，对所述Au-HgCdTe薄膜进行浓度检测，得到所述Au-HgCdTe薄膜中的Au的浓度具体包括以下步骤：

将所述Au-HgCdTe薄膜进行除酸处理，得到固体样品，将所述固体样品在王水中稀释后，用电感耦合等离子发射光谱仪ICP-OES进行浓度测试，得到所述Au-HgCdTe薄膜中的Au的浓度。

5.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，根据所述浓度和所述Au-HgCdTe薄膜的质量M1计算单位质量Au-HgCdTe薄膜中Au的含量M2具体包括以下步骤：

通过公式3，根据Au-HgCdTe薄膜中的Au的浓度和所述Au-HgCdTe薄膜的质量M1计算单位质量Au-HgCdTe薄膜中Au的含量M2，

M2＝Au-HgCdTe薄膜中的Au的浓度/M1公式3。

6.如权利要求1所述的测定方法，其特征在于，根据所述Au-HgCdTe母液的密度ρ和所述M2，得到所述单位体积Au-HgCdTe薄膜中Au的含量M4具体包括以下步骤：

通过公式4，根据所述Au-HgCdTe母液的密度ρ和所述M2，得到所述单位体积Au-HgCdTe薄膜中Au的含量M4，

M4＝M2/ρ公式4。