[发明专利]一种带上电复位的可校正低功耗电压基准源

权利要求书

1.一种带上电复位的可校正低功耗电压基准源，包括电源，其特征在于：至少还包括上电复位电路；所述上电复位电路包括PMOS管M_P1、PMOS管M_P3、PMOS管M_P4和NOMS管M_P2，电阻R_P1、电阻R_P2、电阻R_P3和电阻R_P4，反相器INV₁、反相器INV₂和反相器INV₃；PMOS管M_P1的源极与电阻R_P1的第一端子接入电源VDD端，PMOS管M_P1的栅极与反相器INV₂的输出端连接，PMOS管M_P1的漏极与电阻R_P1的第二端子及电阻R_P2的第一端子相互连接，电阻R_P2的第二端子与NOMS管M_P2的栅极及电阻R_P3的第一端子相互连接，电阻R_P3的第二端子接地，NOMS管M_P2的源极通过电阻R_P4接地，NOMS管M_P2的漏极与PMOS管M_P3的漏极及反相器INV₁的输入端相互连接，PMOS管M_P3的栅极与第二偏置电压V_P2连接，PMOS管M_P3的源极与PMOS管M_P4的漏极连接，PMOS管M_P4的栅极与第一偏置电压V_P1连接，PMOS管M_P4的源极接入电源VDD，反相器INV₁的输出端连接反相器INV₂的输入端，反相器INV₂的输出端连接反相器INV₃的输入端，反相器INV₃的输出端为整个上电复位电路的输出信号POR。

2.根据权利要求1所述的电压基准源，其特征在于：还包括启动电路；所述启动电路包括PMOS管M_S1、PMOS管M_S2、PMOS管M_S3和电容C_S；所述PMOS管M_S1、PMOS管M_S2、PMOS管M_S3的源极都接入电源VDD端，PMOS管M_S1的栅极连接第一偏置电压V_P1，PMOS管M_S1的漏极、PMOS管M_S2的栅极、PMOS管M_S3的栅极和电容C_S的第一端子相互连接，电容C_S的第二端子接地；PMOS管M_S2的漏极是第一启动信号V_N1输出端，PMOS管M_S3的漏极是第二启动信号V_N2输出端。