[发明专利]应用于中波红外成像的红外滤光片有效
| 申请号： | 201511021824.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105487156A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王继平;吕晶;胡伟琴;刘晶 | 申请（专利权）人： | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B1/10 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 周豪靖 |
| 地址： | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 中波 红外 成像 滤光 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于中波红外成像的红外滤光片，包括成分为单晶锗的基板(1)以及分 别位于基板两侧面的第一镀膜层(11)和第二镀膜层(12)，其特征是所述第一 镀膜层(11)包含从内向外依次排列的厚度为65纳米的Ge层、厚度为55纳米 的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米的ZnS层、厚度为49纳 米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米的YF3层、厚度为100 纳米的ZnS层，所述第二镀膜层(12)包含从内向外依次排列的厚度为65纳米 的Ge层、厚度为55纳米的ZnS层、厚度为116纳米的Ge层、厚度为203纳米 的ZnS层、厚度为49纳米的Ge层、厚度为45纳米的ZnS层、厚度为361纳米 的YF3层、厚度为100纳米的ZnS层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州麦乐克电子科技有限公司，未经杭州麦乐克电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511021824.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自动静电除尘装置
- 下一篇：一种太阳能LED室内照明灯
