[发明专利]一种调整半导体激光器波长的方法有效
| 申请号： | 201511022234.7 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105449516A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 殷方军;李沛旭;苏建;蒋锴;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/068 | 分类号： | H01S5/068;H01S5/10 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调整 半导体激光器 波长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种调整半导体激光器波长的方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)将加工好的半导体激光器外延片解理成巴条；
(2)将巴条放入镀膜机中，镀膜机抽真空后对巴条烘烤；
(3)达到步骤(2)中所述烘烤温度和真空度后，在巴条前腔面蒸镀增透膜，改变前腔面的反射率；
(4)在后腔面上蒸镀高反膜，交替蒸镀光学厚度为λ/4的高低折射率镀膜，λ为半导体激光器的波长，使后腔面反射率大于98％。
2.根据权利要求1所述的调整半导体激光器波长的方法，其特征是，所述步骤(2)中镀膜机抽真空后的真空度为3.0-5.0E-3Pa。
3.根据权利要求1所述的调整半导体激光器波长的方法，其特征是，所述步骤(2)中对巴条烘烤的温度为180-250℃。
4.根据权利要求1所述的调整半导体激光器波长的方法，其特征是，所述步骤(3)中增透膜是单层膜或多层膜。
5.根据权利要求1所述的调整半导体激光器波长的方法，其特征是，所述步骤(3)中前腔面反射率为20-40％。
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