[发明专利]有机真空涂布系统及薄膜形成方法在审
| 申请号： | 201511022437.6 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105734496A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨贻谋 | 申请（专利权）人： | 大永真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 真空 系统 薄膜 形成 方法 | ||
1.一种有机真空涂布系统，包含有：
一腔体(10)，具有一容室(11)可抽真空；
一载台(20)，设于该腔体(10)的容室(11)，供装设被镀物；
一蒸发源(30)，设于该腔体(10)的容室(11)；
一有机单体供应装置(40)，对该蒸发源(30)喷射有机单体使蒸发到被镀物上；
一固化装置(50)，对该被镀物成形的薄膜加以固化。
2.依据权利要求1所述的有机真空涂布系统，其中该蒸发源(30)设于该腔体(10)的容室(11)底部。
3.依据权利要求2所述的有机真空涂布系统，其中该固化装置(50)设于该腔体(10)的容室(11)环周。
4.依据权利要求1所述的有机真空涂布系统，其中该固化装置(50)设于该腔体(10)的容室(11)环周。
5.一种使用如权利要求1至4其中任何一项所述的有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其中该腔体(10)的容室(11)抽真空使真空度界于在10-1tort-10-6tort之间。
6.一种如权利要求5所述的有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其中该蒸发源(30)的温度设定在摄氏200-450度之间。
7.一种如权利要求5所述的有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其包含有成膜步骤及固化步骤，并可重复该成膜步骤及固化步骤。
8.一种使用如权利要求1至4其中任何一项所述的有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其中该蒸发源(30)的温度设定在摄氏200-450度之间。
9.一种如权利要求8所述的有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其包含有成膜步骤及固化步骤，并可重复该成膜步骤及固化步骤。
10.一种使用如权利要求1至4其中任何一项所述的有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其包含有成膜步骤及固化步骤，并可重复该成膜步骤及固化步骤。
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