[发明专利]一种电磁屏蔽用软磁合金及其制备方法

权利要求书

1.一种电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，该合金的表达式为：M_aZ_bT_cSi_d；其中，所述表达式中M为Fe、Co、Ni中的至少一种，Z为P、N、B、C、O中的至少一种，T为Sn、Sb、Pb、Al、Bi、Ga、Zr、Ti、Ta、Hf、Nb、V、W、Mo、Mn、Cr、Y中的至少一种，其余为少量不可避免的杂质；所述表达式中a、b、c和d分别表示各对应组分的原子百分比含量(原子％)，且满足以下条件：

25≤a＜65，15＜b≤70，0≤c≤10，0<d≤20，且a+b+c+d＝100；所述合金的组分中类金属原子Z和Si的原子百分比含量之和大于30。

2.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分M的原子百分比含量a的取值范围为40≤a＜65。

3.根据权利要求2所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分M的原子百分比含量a的取值范围为50≤a＜65。

4.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分Z的原子百分比含量b的取值范围为15＜b≤50。

5.根据权利要求4所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分Z的原子百分比含量b的取值范围为15＜b≤40。

6.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分T的原子百分比含量c的取值范围为0.05≤c≤8。

7.根据权利要求6所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分T的原子百分比含量c的取值范围为2≤c≤6。

8.根据权利要求1所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分Si的原子百分比含量d的取值范围为2≤d≤15。

9.根据权利要求8所述电磁屏蔽用软磁合金，其特征在于，所述组分Si的原子百分比含量d的取值范围为4≤d≤15。

10.权利要求1-9中任意一项所述的电磁屏蔽用软磁合金的制备方法，其特征在于，采用快速凝固技术制备，具体包括如下步骤：

步骤一，按权利要求1-9任一项所述表达式中各组分的原子百分比含量进行配料；

步骤二，在抽真空后充入保护气体的气氛下采用感应熔炼炉或电弧熔炼炉将所述步骤一配好的原料熔炼均匀，然后随炉冷却或注入模具冷却成成分均匀的母合金锭；

步骤三，将所述母合金锭熔化成钢液，并在高真空条件或惰性气体保护下采用压力喷带的单辊法将钢液急冷，从而得到带材形式的电磁屏蔽用软磁合金。

11.根据权利要求10所述制备方法，其特征在于，所述步骤三中单辊法的喷带压力为0.01-0.2MPa，辊速为20-40m/s。

12.根据权利要求10所述制备方法，其特征在于，制备出的所述带材形式的电磁屏蔽用软磁合金的厚度为5-100μm，宽度为5-100mm。

13.根据权利要求12所述制备方法，其特征在于，所述电磁屏蔽用软磁合金的厚度为6-20μm。