[发明专利]一种电容层析成像传感器在审

专利信息
申请号: 201511023271.X 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN106932446A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 叶佳敏;吴蒙;王海刚 申请(专利权)人: 中国科学院工程热物理研究所
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 曹玲柱
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电容 层析 成像 传感器
【权利要求书】:

1.一种电容层析成像传感器,其包括:外层屏蔽罩、外层电极组和内置电极组,其中,

外层电极组,其包括N块外层电极片,N块外层电极片之间间隔一定距离、均匀紧贴在管道外壁,N取8、12或16;

外层屏蔽罩,其覆盖外层电极片和管道外壁;

内置电极组,其包括电极单元,电极单元包括内置电极片及保护框,保护框为两块尺寸大于内置电极片的平板,其将内置电极片夹于中间,其两端固定于管道内壁。

2.如权利要求1所述的电容层析成像传感器,其特征在于,还包括:内层电极组和内屏蔽罩(14);

第一外层电极组,其包括N块第一电极片(12),N块第一电极片(12)之间间隔一定距离、均匀紧贴在外层圆筒(51)的外壁;第一外层屏蔽罩(11)覆盖第一电极片(12)和外层筒壁(51);内层电极组,其包括M块第二电极片(13),M块第二电极片(13)之间间隔一定距离、均匀紧贴在与第一外层电极组正对的内层圆筒(52)的内壁;内屏蔽罩(14)覆盖第二电极片(13)和内层圆筒(52);第一内置电极组位于外层圆筒(51)和内层圆筒(52)之间、正对第一外层电极组和内层电极组的环形区域(53),其包括沿环形区域(53)径向方向、在环形区域(53)内均匀分布的K个电极单元,电极单元包括一第三电极片(15)及第一保护框(16),第一保护框(16)为两块尺寸大于第三电极片的平板,其两端固定于外层圆筒(51)和内层圆筒(52),M和K取4,第一内置电极组包括4个电极单元,围绕内层圆筒(52)的外壁成十字交叉。

3.如权利要求2所述的电容层析成像传感器,其特征在于,

第三电极片(15)与其左右两侧的第一电极片(12)的中点和其左右两侧的第二电极片(13)的中点对齐,第一外层电极组和内层电极组均关于第一内置电极组对称。

4.如权利要求2所述的电容层析成像传感器,其特征在于,

第一电极片(12)和第二电极片(13)平展后为高度相同、宽度相同 或不同的矩形铜板;和/或第一外层屏蔽罩(11)平展后为柔软可弯折的矩形薄铜片平板,矩形薄铜片平板的厚度为0.3-0.5mm,其长度比外层圆筒(51)的外壁周长大20-30mm,其宽度比第一电极片(12)的高度高20-30mm;和/或内屏蔽罩(14)平展后为柔软可弯折的矩形薄铜片平板,矩形薄铜片平板的长度比内层圆筒(52)的内壁周长大20-30mm,其宽度比第一电极片(12)的高度h高20-30mm。

5.如权利要求4所述的电容层析成像传感器,其特征在于,

第三电极片(15)为与第一电极片(12)和第二电极片(13)的高度相同,宽度小于或等于环形区域(53)的宽度的矩形铜板,第一保护框(16)为两块非金属材料制作的带有倒角的平板,平板厚度为5-10mm,其高度大于第三电极片(15)的高度,其宽度等于环形区域(53)的宽度,平板之间用胶粘接,将第三电极片(15)夹于中间,两端粘贴于外层圆筒(51)和内层圆筒(52)。

6.如权利要求2所述的电容层析成像传感器,其特征在于,

第一外层屏蔽罩(11)和外层筒壁(51)之间固定有第一支架(31),第一支架(31)由两个相同的半圆形支架(32)组成,两个半圆形支架(32)连接处的第一螺纹孔(33)由螺钉连接,固定于外层圆筒(51)的外壁,并被第一外层屏蔽罩(11)覆盖,连接第一电极片(12)的导线由半圆形支架(32)上的第一通孔(34)引出。

7.如权利要求2所述的电容层析成像传感器,其特征在于,

内屏蔽罩(14)和内层圆筒(52)之间固定有第二支架,第二支架也由两个相同半圆形支架(32)组成,两个半圆形支架(32)连接处的第一螺纹孔(33)由螺钉连接,紧贴在内层圆筒(52)的内壁,并被内屏蔽罩(14)覆盖,连接第二电极片(13)的导线由半圆形支架(32)上的第一通孔(34)引出。

8.如权利要求5所述的电容层析成像传感器,其特征在于,第一内置电极组的第一保护框(16)的两个平板采用打孔、螺栓连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院工程热物理研究所,未经中国科学院工程热物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511023271.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top