[发明专利]一种砷化镓材料表面的改性方法

权利要求书

1.一种砷化镓材料表面的改性方法，包括以下步骤：

(1)将待处理的砷化镓材料置于真空腔室内，抽真空后通入惰性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体进行物理清洁；

(2)抽真空，然后向所述真空腔室通入腐蚀性气体，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与材料表面的氧化层发生化学反应从而对砷化镓材料表面进行化学清洗，去除材料表面原有的氧化层和杂质并形成富Ga的材料表面；

(3)抽真空，然后向所述真空腔室通入氮气，在射频源的作用下形成稳定的等离子体与步骤(2)形成的富Ga的材料表面反应生成GaN材料钝化层。

2.根据权利要求1所述的砷化镓材料表面的改性方法，其特征在于：步骤(1)的物理清洁和步骤(2)的化学清洗交替进行多个周期，再进行步骤(3)。

3.根据权利要求1所述的砷化镓材料表面的改性方法，其特征在于：步骤(3)是采用磁控溅射技术或等离子体增强化学沉积技术，使氮气电离成离子状态与材料表面的Ga离子反应，形成稳定的GaN材料薄层。

4.根据权利要求1所述的砷化镓材料表面的改性方法，其特征在于：所述腐蚀性气体采用NH₃、CCl₂F₂或者H₂S。

5.根据权利要求1所述的砷化镓材料表面的改性方法，其特征在于：步骤(2)在通入腐蚀性气体的同时，还混合通入占更大比重的其他气体以补充腔内气压，所述其他气体为惰性气体、氧气或者氮气。