[发明专利]一种改善SiNx在GaAs晶圆上粘附性的方法有效
| 申请号： | 201511023964.9 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448668B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 任占强;宋克昌 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sinx gaas 晶圆上 粘附 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善SiNx在GaAs晶圆上粘附性的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一：将GaAs晶圆放进PECVD反应腔室内，抽真空；
步骤二：向PECVD反应腔室内通入N2，对PECVD反应腔室进行吹扫，之后再抽真空；
步骤三：通入N2和NH3，其中通入N2的流量范围为130～390sccm、NH3的流量范围为10～50sccm，N2和NH3的流量比范围为6:1～7:1；
步骤四：待PECVD反应腔室内压强稳定，射频点火，使N2和NH3形成等离子体分别对GaAs晶圆表面进行物理清洗和化学清洗；
步骤五：对PECVD反应腔室进行抽真空，并进行多次吹扫；
步骤六：通入SiH4、NH3、N2和He，稳压后射频点火，进行SiNx薄膜生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中通入N2的流量为270sccm、NH3的流量为40sccm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤四中射频功率为45-55W。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：步骤四中射频保持时间为30s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中通入N2和NH3使压强稳定持续1min以上。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二中通入N2的流量为500sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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