[发明专利]一种OLED面板在审
申请号: | 201511024293.8 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105470283A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 吴剑龙;张金方 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 面板 | ||
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域,尤其涉及一种OLED面板。
背景技术
随着有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)技术的发展,OLED良好的发光特性、低能耗等特点,使得OLED在显示、照明领域中得到了广泛应用。
目前,OLED面板的发光原理基于其中的有机发光材料涂层,当有电流通过时,该有机发光材料涂层发光。具体而言:如图1所示,为一种OLED面板的剖视图,其中,像素定义层10上固定设置有用于发出三原色光的像素区:蓝光(Blue、B)像素区101、绿光(Green,G)像素区102、红光(Red,R)像素区103,采用高精度对位技术,从掩膜板20的开口201中将有机发光材料以蒸镀方式镀到相应的像素区表面(其中,有机发光材料包含三原色的有机发光材料,也即,红光有机发光材料、绿光有机发光材料、蓝光有机发光材料),形成相应的像素。然而在蒸镀的过程中,蒸镀气流并不可控,针对某一像素区的蒸镀气流,可能扩散至其他像素区,从而导致混色,这将影响OLED面板最终的显示效果。
现有技术中,为了降低或避免在蒸镀过程中出现有机发光材料的混色现象,提出两种方式:
在一种方式下,缩小像素区的宽度使得像素区之间的距离增加,从而降低混色的程度,具体地,如图2a及2b所示,将像素区的间距从L增加至L’。
在另一种方式下,如图3a所示,在OLED面板的各像素区之间的间隔区域设置条形间隔材料(PhotoSpacer,PS)柱(或板),或者如图3b所示,连贯设置PS柱,以阻挡蒸镀气流,防止混色。
但是,对于现有技术中的上述两种方式而言,均具有一定的缺陷:
对于第一种方式而言,虽然通过缩小像素区宽度的方式增加了像素区之间的间距,但是缩小像素区宽度的方式将影响OLED面板的寿命。
对于第二种方式而言,虽然可以起到阻挡蒸镀气流扩散的作用,但在实际封装时,可能由于基板和盖板之间的相对移动,导致间隔材料柱朝向盖板的一面移动而对阴极造成磨损,使得整个间隔材料柱区域的阴极阻抗加大,从而对OLED面板的显示效果造成影响。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光二极管,用以解决现有的OLED面板在蒸镀过程中混色的问题。
本发明提供一种OLED面板,其中包括:像素定义层,所述像素定义层上设有若干像素区,相邻两个像素区之间具有间隔区域,所述像素定义层内还包括设置于相邻且为不同类别的两个像素区之间的间隔区域上的若干间隔板,相邻两个间隔板之间设有间隙且所述间隔板错位排列;
其中,所述相邻两个像素区为不同类别的像素区。
进一步地,所述若干间隔板在像素区的长度方向上延伸排列。
进一步地,所述若干间隔板在像素区的宽度方向上延伸排列。
进一步地,所述若干间隔板平行排列。
进一步地,所述间隔板呈一字型。
进一步地,所述间隔板呈Z型。
进一步地,所述间隔板呈盖状。
本发明具有以下有益效果:
通过采用本发明的OLED面板中所采用的设置多个留有间隙的间隔板,可以有效降低或避免在蒸镀制程中蒸镀气流发生扩散的现象,同时,正是由于不同的间隔板之间存在间隙,那么,在OLED面板进行封装后,即使第一基底与第二基底之间的相对移动造成间隔板上表面的阴极挤压磨损,导致阴极阻抗增大,间隙部分所对应的阴极部分也可以正常工作,从而有效减缓OLED面板中整个阴极的磨损程度。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为现有技术中通过掩模板在像素定义层内进行蒸镀有机发光材料的过程示意图;
图2a~2b为现有技术中减小像素定义层内的像素区宽度的示意图;
图3a~3b为现有技术中在像素定义层内的像素区之间增设间隔材料柱的结构示意图;
图4a、4b为本发明第一实施例提供的一种OLED面板的结构示意图;
图4c为本发明第一实施例提供的一种OLED面板的进行蒸镀过程的示意图;
图5为本发明第二实施例提供的OLED面板内像素定义层中的间隔板的具体排列结构示意图;
图6为本发明第三实施例提供的OLED面板内像素定义层中的间隔板的具体排列结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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