[发明专利]差分电压绝对值电路

权利要求书

1.一种差分电压绝对值电路，其特征在于，包括：

第一电压电流转换模块，适于从其输入端输入第一输入电压，并将所述第一输入电压转换为第一电流；

第二电压电流转换模块，适于从其输入端输入第二输入电压，并将所述第二输入电压转换为第二电流；

第一电流减法模块和第二电流减法模块，分别适于对其正相输入端和反相输入端的电流做减法运算得到差值电流；并且当正相输入端的电流大于等于反相输入端的电流时，所述差值电流等于正相输入端的电流减去反相输入端的电流的差值，当正相输入端的电流小于反相输入端的电流时，所述差值电流等于零；其中，所述第一电流减法模块的正相输入端耦合所述第一电流，反相输入端耦合所述第二电流，进行减法运算后得到第一差值电流；所述第二电流减法模块的正相输入端耦合所述第二电流，反相输入端耦合所述第一电流，进行减法运算后得到第二差值电流；

电流加法模块，适于从其第一输入端耦合所述第一差值电流，以及从其第二输入端耦合所述第二差值电流，并将所述第一差值电流和所述第二差值电流求和后得到加和电流；

电流电压转换模块，适于从其输入端耦合所述加和电流，并将所述加和电流转换为输出电压后从其输出端输出。

2.如权利要求1所述的差分电压绝对值电路，其特征在于，所述第一电压电流转换模块包括第一运算放大器、第一PMOS晶体管和第一电阻，其中，所述第一运算放大器的正相输入端输入所述第一输入电压，反相输入端与所述第一PMOS晶体管的漏极连接，输出端与所述第一PMOS晶体管的栅极连接；

所述第一PMOS晶体管的源极连接电源电压，漏极连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端接地。

3.如权利要求2所述的差分电压绝对值电路，其特征在于，所述第二电压电流转换模块包括第二运算放大器、第六PMOS晶体管和第二电阻，其中，

所述第二运算放大器的正相输入端输入所述第二输入电压，反相输入端与所述第六PMOS晶体管的漏极连接，输出端与所述第六PMOS晶体管的栅极连接；

所述第六PMOS晶体管的源极连接电源电压，漏极连接所述第二电阻的第一端；所述第二电阻的第二端接地。

4.如权利要求3所述的差分电压绝对值电路，其特征在于，所述第一电流减法模块包括第二PMOS晶体管，第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，其中，

所述第二PMOS晶体管的栅极连接所述第二电压电流转换模块的输出端，源极连接电源电压，漏极连接所述第一NMOS晶体管的漏极；所述第一NMOS晶体管的栅极与漏极连接并与所述第二NMOS晶体管的栅极连接，源极接地；

所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述第一电压电流转换模块的输出端，源极连接电源电压，漏极连接所述第二NMOS晶体管的漏极；所述第二NMOS晶体管的源极接地；

所述第三NMOS晶体管的栅极与漏极连接并与所述第二NMOS晶体管的漏极连接，源极接地。

5.如权利要求4所述的差分电压绝对值电路，其特征在于，所述第二电流减法模块包括第七PMOS晶体管，第八PMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管，其中，

所述第七PMOS晶体管的栅极连接所述第一电压电流转换模块的输出端，源极连接电源电压，漏极连接所述第五NMOS晶体管的漏极；所述第五NMOS晶体管的栅极与漏极连接并与所述第六NMOS晶体管的栅极连接，源极接地；

所述第八PMOS晶体管的栅极连接所述第二电压电流转换模块的输出端，源极连接电源电压，漏极连接所述第六NMOS晶体管的漏极；所述第六NMOS晶体管的源极接地；

所述第七NMOS晶体管的栅极与漏极连接并与所述第六NMOS晶体管的漏极连接，源极接地。