[发明专利]镁钇合金及氧化钨薄膜为基的全固体电致变色调光器件在审
申请号: | 201511025316.7 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN106932993A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 包山虎;金平实;辛云川 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/01 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金 氧化钨 薄膜 固体 变色 调光 器件 | ||
1.一种全固体电致变色调光器件,其特征在于,包括三氧化钨储氢层、镁钇合金调光层以及位于三氧化物储氢层、镁钇合金调光层之间的质子传导层和贵金属催化层。
2.根据权利要求1所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述三氧化钨储氢层为非晶态薄膜,厚度为50~500 nm,优选100~200nm。
3.根据权利要求1或2所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述质子传导层为无机氧化物透明导电薄膜或有机高分子质子导电薄膜。
4.根据权利要求3所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述质子传导层为五氧化二钽或五氧化二钕非晶态无色透明薄膜。
5.根据权利要求4所述的全固体电致变色调光器件,所述质子传导层的厚度为50~500nm,优选100~120nm。
6.根据权利要求3所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述质子传导层为聚四氟乙烯质子交换薄膜,厚度为10~500μm,优选100μm。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述贵金属催化层的化学组成为金属钯或其合金PdMy,PdMx合金中M为Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Ta,Fe,Ni,Co,Mo,W中的至少一种,其中y为0<y≤0.5。
8.根据权利要求7所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述贵金属催化层的厚度为5~10nm。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述镁钇合金调光层的化学组成为MgxY,其中0≤x≤1。
10.根据权利要求9所述的全固体电致变色调光器件,其特征在于,所述镁钇合金调光层的厚度为20~200nm,优选100~200nm。
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