[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成半导体基底，所述半导体基底包括衬底、凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的顶部和侧壁表面形成有屏蔽层；

采用含氟气体去除所述屏蔽层；

去除所述屏蔽层之后，对所述鳍部进行表面处理以去除所述鳍部表面的含氟副产物，所述鳍部的材料为硅，所述含氟副产物与所述鳍部表面形成硅-氟键，对所述鳍部进行表面处理的步骤包括：对所述鳍部进行光照工艺，使所述硅-氟键断开；进行所述光照工艺之后，对所述鳍部表面进行氧化处理，在所述鳍部表面形成氧化层；去除所述氧化层；

形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述屏蔽层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述屏蔽层的工艺为SiCoNi刻蚀工艺。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蚀工艺的步骤包括：

以三氟化氮和氨气作为反应气体以生成刻蚀气体；

通过刻蚀气体刻蚀所述屏蔽层，形成含氟副产物；

进行退火工艺，将所述含氟副产物升华分解为气态产物；

通过抽气方式去除所述气态产物。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述SiCoNi刻蚀工艺的工艺参数包括：三氟化氮的气体流量为20sccm至200sccm，氨气的气体流量为200sccm至500sccm，腔室压强为2Torr至10Torr，工艺时间为20S至100S，所述退火工艺的温度为100℃至200℃。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用紫外线对所述鳍部进行光照工艺，光照强度为1mW/cm²至200mW/cm²，工艺温度为350℃至650℃，工艺时间为20min至200min。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述鳍部进行氧化处理的工艺为湿法氧化工艺或干法氧化工艺。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过臭氧对所述鳍部进行湿法氧化工艺，工艺时间为60S至150S。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述鳍部进行氧化处理的工艺为干法氧化工艺，反应气体为氧气，载气为氮气，氧气与氮气的流量之比为1：60至1：20，工艺时间为10S至100S，工艺温度为650℃至950℃，腔室压强为30Torr至200Torr。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述氧化层的工艺为湿法刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用的溶液为氢氟酸。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氢氟酸的体积浓度为100：1至1000：1。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构为伪栅结构。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构的步骤包括：

形成横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面的伪栅氧化层；

在所述伪栅氧化层表面形成伪栅电极层。