[发明专利]一种自修整磁流变柔性抛光砂轮及其磨抛方法有效

专利信息
申请号: 201511025600.4 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN105729250B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 潘继生;阎秋生;张凤林 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;B24D13/00
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司44102 代理人: 林丽明
地址: 510006 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 修整 流变 柔性 抛光 砂轮 及其 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种自修整磁流变柔性抛光砂轮及其磨抛方法,特别适合于光电子/微电子半导体基片及光学元件的超精密磨抛加工,属于超精密加工技术领域。

背景技术

在LED 领域,单晶硅(Si)、单晶锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、单晶碳化硅(SiC)和蓝宝石(Al2O3)等作为半导体衬底材料,同样要求具有超平坦和超光滑的表面(粗糙度Ra 达到0.3nm 以下)才能满足外延膜生长的要求,并且要求无缺陷、无损伤。而光学元件作为光学器件的核心元件之一,要达到良好的光学性能,其表面精度需要达到超光滑程度(粗糙度Ra 达到1nm以下),面形精度也有较高的要求(形状精度达到0.5微米以下)。可以看出无论是光学平面元件还是半导体基片,均需要进行平坦化加工,其传统工艺主要是高效研磨、超精密抛光、化学机械抛光、磁流变抛光和基于端面磨床的磨抛加工,其加工质量和精度直接决定了光学器件及半导体器件的性能。

自从1984年日本的Mastul S.等人提出了工件自旋转磨削方法后,自旋转磨削原理的超精密磨床已成为半导体晶片特别是大直径晶片制造和背面减薄普遍采用的加工设备。在工件自旋转磨削中,除了对超精密磨床的精度和主轴刚度提出很高度要求之外,对配套采用的端面砂轮也有极高的要求,其中以具有抛光性能砂轮(Poligrind)要求最高,采用该砂轮能直接通过磨削方式获得机械抛光同等的表面质量,大大提高了加工效率。但是Poligrind的高性能造成了能生产此类砂轮的厂商极少,价格居高不下,进口价格在3万人民币左右,而且该类砂轮的齿高只有5~7mm高,加工过程中砂轮磨损非常快,因而只能用于少量工件的磨削,磨削成本极高。因而本发明提出一种自修整磁流变柔性抛光砂轮及其磨抛方法,采用动态磁场形成自修整流变柔性抛光砂轮块,实现对工件的恒压力柔性加工,并且能使磨料在加工过程中实时更新自锐,而且该砂轮永不磨损,能够以低廉的价格实现Poligrind的效果。

发明内容

本发明的目是针对Poligrind成本高、磨损快的问题提出一种自修整磁流变柔性抛光砂轮。本发明加工过程中砂轮块能实现磨料自动更新和砂轮块形状的实时恢复,砂轮块永不磨损,加工效率高,成本低,能获得无表面和亚表面损伤的工件,适合光电子/微电子基片和光学元件的平面高效率超光滑均匀磨削抛光加工。

本发明的另一目的在于提供一种自修整磁流变柔性抛光砂轮的磨抛方法,本发明采用动态磁场实现磁流变液的更新和磨料的更新自锐,不需要采用循环装置对磁流变液进行更新且加工过程中不需要更换磁流变液,自修整流变柔性抛光砂轮块中的磨料具有容末效应,能实现细小的磨料与工件优先接触,避免粗颗粒磨料对工件的损伤,不存在传统砂轮块的磨损问题和磨料粒度及气孔分布不均等关键问题。

本发明的技术方案是:本发明自修整磁流变柔性抛光砂轮,包括有固定环、内齿轮、砂轮环、齿轮轴、同步旋转齿轮、行星齿轮、旋转轴和圆柱体永磁铁,其中旋转轴装设在砂轮环内,圆柱体永磁铁装设在旋转轴下端所设的通孔内,内齿轮装设在砂轮环的上部,固定环装设在内齿轮的顶部,且固定环固定在机床上,砂轮接口装设在砂轮环及固定环的顶部,砂轮接口与砂轮环连接,砂轮接口上设有外齿轮,齿轮轴装设在砂轮接口上,行星齿轮装设在齿轮轴上,同步旋转齿轮装设在旋转轴的上端,行星齿轮与砂轮接口所设的外齿轮啮合,同步旋转齿轮及行星齿轮与内齿轮啮合。

本发明自修整磁流变柔性抛光砂轮的磨抛方法,包括如下步骤:

1)根据机床的结构,设计适配的自修整磁流变柔性抛光砂轮结构;

2)根据加工对象的特点,选择的磁场强度的圆柱体永磁铁相邻同磁极或者相邻反磁极安装于自修整磁流变柔性抛光砂轮内,调整旋转轴使圆柱体永磁铁下端面到砂轮端面的距离一致,并完成自修整磁流变柔性抛光砂轮的整体安装;

3)将自修整磁流变柔性抛光砂轮通过砂轮接口和连接螺钉安装于端面磨床主轴上,将固定环通过固定环上的定位圆柱和固定连接环固定于端面磨床床身上;

4)将工件通过真空吸或者其他方式装夹于工件主轴上,使工件圆心在圆柱体永磁铁圆心形成的轨迹圆附近,调整端面磨床主轴使砂轮端面到工件上表面的加工间隙为0.5~5mm;

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