[发明专利]惯性传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种惯性传感器制作方法，其特征在于，包括：

提供一器件硅片，所述器件硅片的正面依次形成有隔离层、图形化的第一导电层、牺牲氧化层、第二导电层以及图形化的金属电极层，所述牺牲氧化层中设置有通孔，所述第二导电层通过所述通孔与所述图形化的第一导电层连接；

刻蚀所述第二导电层形成运动质量块图形，并通过氢氟酸气相熏蒸工艺去除所述运动质量块图形与所述图形化的第一导电层之间的牺牲氧化层，形成可动质量块；

提供一封帽硅片，所述封帽硅片上形成有保护腔；

将所述器件硅片与封帽硅片进行键合，所述封帽硅片的保护腔对应所述器件硅片的可动质量块；以及

刻蚀所述封帽硅片形成深槽引线窗口，并由所述深槽引线窗口刻蚀所述第二导电层，所述图形化的金属电极层作为掩膜层保护其下方的第二导电层未被刻蚀形成压点柱。

2.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述隔离层的材料是二氧化硅。

3.如权利要求2所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述隔离层通过热氧化、低压化学气相淀积或等离子增强型化学气相淀积工艺形成。

4.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述图形化的第一导电层的材料是多晶硅。

5.如权利要求4所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述图形化的第一导电层的形成方法包括：

通过低压化学气相淀积工艺在所述隔离层上淀积第一导电层；

刻蚀所述第一导电层形成所述图形化的第一导电层。

6.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的材料是二氧化硅。

7.如权利要求6所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层通过低压化学气相淀积或等离子增强型化学气相淀积工艺形成。

8.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，形成所述牺牲氧化层之后，通过化学机械研磨或匀胶后再各向同性回刻蚀的方法平坦化所述牺牲氧化层的表面。

9.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述第二导电层的材料是多晶硅。

10.如权利要求9所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述第二导电层的形成方法包括：

通过低压化学气相淀积工艺在所述牺牲氧化层上淀积种子多晶硅层；

在所述种子多晶硅层上外延生长形成所述第二导电层。

11.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，形成所述第二导电层之后，通过化学机械研磨或匀胶后再各向同性回刻蚀的方法平坦化所述第二导电层的表面。

12.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述图形化的金属电极层的材料是铝。

13.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述图形化的金属电极层的形成方法包括：

通过溅射或蒸发工艺在所述第二导电层上淀积金属电极层；

刻蚀所述金属电极层以形成所述图形化的金属电极层。

14.如权利要求1所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述封帽硅片上还形成有键合图形层。

15.如权利要求14所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，所述键合图形层的材料是锗。

16.如权利要求1至15中任意一项所述的惯性传感器制作方法，其特征在于，采用氟基气体刻蚀所述封帽硅片和第二导电层。