[发明专利]移相控制全桥零电流变换器及直流开关电源

权利要求书

1.一种移相控制全桥零电流变换器，包括移相全桥电路、隔直电容(C_b)、变压器，其特征在于：还包括第一MOS管(Q₅)和第二MOS管(Q₆)；所述移相全桥电路的超前桥臂的开关管(Q₁)的集电极以及滞后桥臂的开关管(Q₂)的集电极与直流电源的正极连接；所述移相全桥电路的超前桥臂的开关管(Q₁)的发射极以及超前桥臂的开关管Q₃的集电极与隔直电容(C_b)的一个极板连接；所述隔直电容(C_b)的另一个极板与第一MOS管(Q₅)的源极连接；所述第一MOS管(Q₅)的漏极与第二MOS管(Q₆)的漏极连接；所述第二MOS管(Q₅)的源极与变压器原边高端连接；所述移相全桥电路的滞后桥臂的开关管(Q₂)的发射极以及滞后桥臂的开关管(Q₄)的集电极与变压器原边低端连接；所述移相全桥电路的超前桥臂的开关管(Q₃)的发射极以及滞后桥臂的开关管(Q₄)的发射极与直流电源的负极连接。

2.根据权利要求1所述移相控制全桥零电流变换器，其特征在于：所述移相全桥电路的开关管(Q₁、Q₂、Q₃、Q₄)的集电极和发射极之间连接有并联的电容(C₁、C₂、C₃、C₄)和体二极管(D₁、D₂、D₃、D₄)；所述体二极管的阳极与开关管的发射极连接，所述体二极管的阴极与开关管的集电极连接。

3.根据权利要求1所述移相控制全桥零电流变换器，其特征在于：所述MOS管为低压、低导通内阻的MOS管；所述变压器为高频变压器。

4.一种直流开关电源，包括三相桥式不控整流电路、移相控制全桥零电流变换器、单相桥式不控整流电路，所述移相控制全桥零电流变换器包括移相全桥电路、隔直电容(C_b)、变压器，其特征在于：还包括第一MOS管(Q₅)和第二MOS管(Q₆)；所述移相全桥电路的超前桥臂的开关管(Q₁)的集电极以及滞后桥臂的开关管(Q₂)的集电极与直流电源的正极连接；所述移相全桥电路的超前桥臂的开关管(Q₁)的发射极以及超前桥臂的开关管Q₃的集电极与隔直电容(C_b)的一个极板连接；所述隔直电容(C_b)的另一个极板与第一MOS管(Q₅)的源极连接；所述第一MOS管(Q₅)的漏极与第二MOS管(Q₆)的漏极连接；

所述第二MOS管(Q₅)的源极与变压器原边高端连接；所述移相全桥电路的滞后桥臂的开关管(Q₂)的发射极以及滞后桥臂的开关管(Q₄)的集电极与变压器原边低端连接；所述移相全桥电路的超前桥臂的开关管(Q₃)的发射极以及滞后桥臂的开关管(Q₄)的发射极与直流电源的负极连接。

5.根据权利要求4所述直流开关电源，其特征在于：所述移相全桥电路的开关管(Q₁、Q₂、Q₃、Q₄)的集电极和发射极之间连接有并联的电容(C₁、C₂、C₃、C₄)和体二极管(D₁、D₂、D₃、D₄)；所述体二极管的阳极与开关管的发射极连接，所述体二极管的阴极与开关管的集电极连接。

6.根据权利要求4所述直流开关电源，其特征在于：还包括接在单相二极管整流电路输出端和负载之间的LC滤波器(L_o、C_o)。

7.根据权利要求4或5或6所述直流开关电源，其特征在于：所述MOS管为低压、低导通内阻的MOS管；所述变压器为高频变压器。