[发明专利]一种博世工艺刻蚀硅基片的方法

权利要求书

1.一种博世工艺刻蚀硅基片的方法，所述博世工艺具有沉积步骤和刻蚀步骤，所述博世工艺所采用的装置具有质量流量控制器，质量流量控制器用于控制反应气体的流量，在博世工艺中质量流量控制器的响应存在延迟时间，其特征在于，所述方法包括：

步骤01：设定所述刻蚀步骤的工艺时间步长和所述沉积步骤的工艺时间步长；

步骤02：向工艺腔中通入第一刻蚀气体；

步骤03：经第一时间段后，向工艺腔中通入第一沉积气体；然后，在所述刻蚀步骤的工艺时间步长结束后停止通入所述第一刻蚀气体；

步骤04：经第二时间段后，向工艺腔通入第二刻蚀气体；然后，在所述沉积步骤的工艺时间步长结束后停止通入所述第一沉积气体；

步骤05：经第三时间段后，向工艺腔通入第二沉积气体；然后，在所述刻蚀步骤的工艺时间步长结束后停止通入所述第二刻蚀气体；

步骤06：经第四时间段后，向工艺腔通入第一刻蚀气体；然后，在所述沉积步骤的工艺时间步长结束后停止通入所述第二沉积气体；

步骤07：重复所述步骤03-05一次，然后按照步骤06、步骤03、步骤04和步骤05的顺序重复循环，从而完成博世工艺；其中，博世工艺的所述刻蚀步骤的实际工艺时间步长等于所述刻蚀步骤的工艺时间步长减去所述质量流量控制器的延迟时间，所述沉积步骤的实际工艺时间步长等于所述沉积步骤的工艺时间步长减去所述质量流量控制器的延迟时间；所述第一时间段和所述第三时间段均为所述刻蚀步骤的工艺时间步长减去所述质量流量控制器的延迟时间，所述第二时间段和所述第四时间段均为所述沉积步骤的工艺时间步长减去所述质量流量控制器的延迟时间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所设定的所述刻蚀步骤的工艺时间步长为所述延迟时间的两倍，从而使所述刻蚀步骤的实际工艺时间步长为所述工艺时间步长的一半；所设定的所述沉积步骤的工艺时间步长为所述延迟时间的两倍，从而使所述沉积步骤的实际工艺时间步长为所述工艺时间步长的一半。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所设定的所述刻蚀步骤的工艺时间步长为200ms，所述延迟时间为100ms，所述刻蚀步骤的实际工艺时间步长为100ms。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所设定的所述沉积步骤的工艺时间步长为200ms，所述延迟时间为100ms，所述沉积步骤的实际工艺时间步长为100ms。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体的成分和第二刻蚀气体的成分相同，包括SF₆气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体的流量、所述第一沉积气体的流量，所述第二刻蚀气体的流量和所述第二沉积气体的流量分别受一MFC的控制。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沉积气体的成分和第二沉积气体的成分相同。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一沉积气体和所述第二沉积气体为C₄F₈。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体的流量和第二刻蚀气体的流量相同。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一沉积气体的流量和第二沉积气体的流量相同。