[发明专利]一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法在审
| 申请号： | 201511026863.7 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105668624A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘玉峰;郑新峰;房永征;侯京山;张娜;赵国营 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 杨军 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碱水 法制 备微晶 bi 半导体材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法，其特征在于，具体步骤如下：
首先将3-25mmol的含硫化合物、1-10mmol氧化铋或铋盐、5-30g强碱和5-30mL的 去离子水加入到反应釜中，搅拌10-30min至反应物溶解；然后将反应釜密封放入200-240 ℃的真空烘箱中加热反应1-5天；最后离心、干燥即得微晶Bi-S基半导体材料；其中：所 述含硫化合物选自硫脲、硫粉、硫化钠、硫代乙酸、硫代硫酸钠或硫代乙酰胺中任意一种； 所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；所述微晶Bi-S基半导体材料用 化学式ABiS2表示，其中A选自Na、K或Cs中任意一种。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铋盐为硝酸铋、氯化铋或碳酸铋中任意 一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，离心时，转速为1000-8000转/min。
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