[发明专利]进气装置及半导体加工设备

说明书

本发明提供了进气装置及半导体加工设备，该进气装置在安装体和本体相接触的表面上，安装体和本体中的一个设置有用于在其内设置第一密封圈的环形凹部，另一个设置有环形凸部，环形凹部和环形凸部均设置在升降通道的内沿区域，环形凸部的靠近环形凹部的内径大小大于远离环形凹部的内径大小，环形凸部用于在环形凹部内将第一密封圈挤压在环形凸部的内周壁、环形凹部和升降针形成的空间内，第一密封圈同时受到朝向环形凹部的挤压力和朝向升降针的挤压力，和/或，在安装体和连通位置之间的升降通道的内壁上设置有环绕升降通道设置用于放置第二密封圈的环形通道，升降针的一端在环形通道所在位置和连通位置之间升降。该进气装置密封性好。

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种进气装置及半导体加工设备。

背景技术

化学气相沉积(CVD)技术生长外延层的原理是：在高温(一般为＞1100℃)的基片上输送硅的化合物(例如，SiHCl₃、SiCl₄、SiH₂Cl₂或SiH₄等)，并利用氢(H₂)在基片上进行还原反应析出硅，再控制主掺杂质源(例如，PH₃、AsH₃或B₂H₆)来控制生长的外延层的导电类型和电阻率，并且在生长一定厚度之后，通入一定浓度的HCl来去除承载基片的托盘上的硅。可以理解，在高温条件下腔室内通有易燃、易爆的H₂、有剧毒的PH₃、AsH₃或B₂H₆等的掺杂气体以及HCL气体，若腔室发生气体泄漏轻则造成沉积的膜厚、电阻率等均匀性达不到要求，重则造成严重的经济损失、更可能造成现场人员身体危害、失明等。

图1为现有的进气装置的剖视图；请参阅图1，通常，进气装置10安装在腔室的顶壁上，进气装置10包括本体1、本体2、安装体3和多个升降针4，多个升降针4沿腔室的径向间隔且均匀设置，通过控制多个升降针4的升降来调节进入腔室不同位置的气流量，从而控制形成的外延层的厚度的均匀性。下面详细描述为何控制每个升降针4可控制其向腔室内输送的气流量，具体地，对应每个升降针4，本体1内设置有进气通道11，用于向腔室内输送工艺气体；本体2叠置在本体1上，安装体3叠置在本体2上，用于将升降针4安装在本体2上，且本体2和安装体3内设置有进气通道11相连通的升降通道12，升降针4可经由该升降通道12内升降，若升降针4下降至进气通道11内，可减小该进气通道11的通气孔径，从而减小通入腔室的气流量；若升降针4上升至升降通道12内，则可不对进气通道11的通气孔径产生影响，保证向腔室内以最大流量通入气体。

由于进气装置的密封性是保证腔室密封的关键，为此，在实际应用中，在安装体3与本体2相接触的表面上且在升降通道12的内沿区域设置有环绕升降通道12设置的密封圈5，通过安装体3压紧密封圈5，从而可密封安装体3和本体2之间的间隙，防止工艺气体在安装体3和本体2泄漏；并且，在本体1和本体2相接触的表面上设置有环绕进气通道11的密封圈6，用以密封本体1和本体2之间的间隙。

采用上述进气装置10发现以下问题：上述进气装置10仅依靠密封圈5自身的伸缩力抱紧升降针4来进行升降针4和密封圈5接触位置的密封，该密封性会随着升降针4反复升降动作后越来越差，加之密封圈5会被工艺气体腐蚀，在经过较短时间后需重新更换密封圈5，否则极容易发生泄漏。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种进气装置及半导体加工设备。