[发明专利]一种具有重叠垂直桥腿的非制冷红外焦平面阵列探测器

权利要求书

1.一种具有重叠垂直桥腿的非制冷红外焦平面阵列探测器，包括桥层 和对应桥层下方设置的衬底以及设在读出电路上的锚柱，其特征在于：衬 底为矩形，其两斜对角具有缩进部，在缩进部设有读出电路，桥层具有桥 面及其两斜对角向外侧延伸且向下重叠弯折垂直的桥腿，在桥面的另两斜 对角，相对于缩进部设有凹进部，凹进部与缩进部呈上下对应，使得桥腿 抵接衬底时向锚柱延伸且与锚柱接接，桥层在其斜对应的两桥腿支撑下， 使得桥面与衬底形成有真空间隙层。

2.如权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 桥腿包括根部、上下平行部及弯折部，上平行部垂直于根部，弯折部为重 叠弯折垂直且连接上、下平行部，下平行部抵接于衬底表面，其自由端与 锚柱连接。

3.如权利要求2所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 真空间隙层高度为1.6um～2.5um真空间隙层。

4.如权利要求3所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 上平行部、弯折部及下平行部的间隙分别为0.2um～1.2um，上平行部上 表面高度与桥面相同，下平行部下表面抵接衬底表面。

5.如权利要求4所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 桥面及桥腿均包括吸收层及热敏感电阻层，其中桥腿还包括支撑层和金属 导电层。

6.如权利要求5所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 桥面为吸收层与热敏感电阻层叠覆构成，或为吸收层、热敏感电阻层和吸 收层；桥腿为支撑层与金属导电层叠覆构成，或为支撑层、金属导电层和 支撑层叠覆构成。

7.如权利要求6所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 热敏感电阻层采用氢化非晶硅(a-Si：H)、非晶锗硅(a-SiGe)或氧化钒 (VOx)材料，吸收层采用氧化硅、氮化硅或氮氧化硅材料，支撑层采用 氧化硅、氮化硅或氮氧化硅材料，金属导电层采用钛、氮化钛或镍铬合金 材料。

8.如权利要求7所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于： 衬底为读出集成电路衬底，其表面设置有红外辐射反射层。