[发明专利]掩膜版图形的修正方法

权利要求书

1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：

提供芯片图形区，所述芯片图形区包括若干主图形；

基于经验规则在各主图形周围设置第一辅助图形；

对所述芯片图形区进行第一次光学临近修正，使若干主图形修正为第一修正图形；

对所述芯片图形区进行检测，获取缺陷点；

通过所述缺陷点建立缺陷区域，所述缺陷区域包括：包围所述缺陷点的第一区域；包围所述第一区域的第二区域；包围所述第二区域的第三区域；

基于模型规则将所述缺陷区域内的第一辅助图形转换为第二辅助图形；

在获取第二辅助图形之后，对缺陷区域内的第一修正图形进行第二次光学临近图形修正，获取第二修正图形。

2.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述缺陷点位于所述第一区域的中心。

3.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述基于模型规则将所述缺陷区域内的第一辅助图形转换为第二辅助图形的步骤包括：

移除第一区域内的第一辅助图形；

在去除第一辅助图形之后，以第一区域内的第一修正图形、以及第二区域内的第一修正图形和第一辅助图形作为参考，采用模型规则在第一区域内重新建立第二辅助图形。

4.如权利要求3所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第二辅助图形位于第一区域内的各第一修正图形周围。

5.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取第二修正图形的步骤包括：以第三区域内的第一辅助图形和第一修正图形作为边界条件，对第二区域和第一区域内的第一修正图形进行第二次光学临近图形修正，使所述第二区域和第一区域内的第一修正图形修正为第二修正图形。

6.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一区域、第二区域和第三区域为矩形。

7.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一区域为正方形，所述正方形的边长为0.3μm～0.8μm；所述第二区域为正方形，所述正方形的边长为4μm～6μm；所述第三区域为正方形，所述正方形的边长为8μm～12μm。

8.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，还包括：在获取第二修正图形之后，对若干第一修正图形、第二修正图形、第一辅助图形和第二辅助图形进行检测。

9.如权利要求8所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，还包括：在对若干第一修正图形、第二修正图形、第一辅助图形和第二辅助图形进行检测之后，重复获取缺陷点至获取第二修正图形的步骤。

10.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取缺陷点的方法包括：对芯片图形区进行模拟，获得模拟曝光图形；若所述模拟曝光图形的尺寸超出预设范围，则该模拟曝光图形对应的主图形为缺陷点。

11.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一修正图形、第二修正图形为可曝光图形。

12.如权利要求11所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一修正图形的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值；所述第二修正图形的尺寸大于光刻工艺的分辨率临界值。

13.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形和第二辅助图形为不可曝光图形。

14.如权利要求13所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值；所述第二辅助图形的尺寸小于光刻工艺的分辨率临界值。

15.如权利要求14所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一辅助图形为矩形，所述第一辅助图形的矩形宽度为10纳米～50纳米；所述第二辅助图形为矩形，所述第二辅助图形的矩形宽度为10纳米～50纳米。