[发明专利]一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺在审
申请号: | 201511028597.1 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105470382A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 马可军;俞振中;郑律 | 申请(专利权)人: | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L43/00 | 分类号: | H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 延伸 电极 器件 制造 工艺 | ||
1.一种具有延伸电极的磁敏器件,它包括基底(1)、在所述基底(1)之上的形成所需芯片图案的InSb薄膜(2),其特征在于:所述的具有延伸电极的磁敏器件还包括至少两个电极(3),每个所述电极(3)的一部分位于所述InSb薄膜(2)上表面,另一部分延伸至所述基底(1)上表面。
2.根据权利要求1所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:所述电极(3)的所述另一部分通过打线工艺与导线(4)连接。
3.根据权利要求1所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:所述的电极(3)材料采用金或铝。
4.根据权利要求1中所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:所述的基底(1)材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
5.根据权利要求1所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:所述的基底(1)包括由下至上依次设置的衬底层(11)、过渡层(12)、绝缘层(13),所述过渡层(12)材料为化合物,该化合物含有包括In在内的与In同族的至少一种金属元素,所述的化合物中至少含有Sb,化合物中除Sb外仅含有In所在族中的金属元素。
6.根据权利要求5所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:所述的绝缘层(13)材料为In2O3或SiO2。
7.根据权利要求5所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:若在所述具有延伸电极的磁敏器件制作过程中,对所述InSb进行退火处理时的退火温度低于InSb的熔点,则所述过渡层(12)材料为InSb,若在所述具有延伸电极的磁敏器件制作过程中,对所述InSb进行退火处理时的退火温度高于InSb的熔点,则所述过渡层(12)材料为除InSb外的其他所述化合物。
8.根据权利要求5中所述的一种具有延伸电极的磁敏器件,其特征在于:所述的衬底层(11)材料为陶瓷、硅、铁氧体或云母。
9.一种权利要求1-8任一项中所述的一种具有延伸电极的磁敏器件的制造工艺,其特征在于:包括以下步骤:
A.在所述基底(1)上表面生长InSb薄膜层,并按照芯片图案通过半导体光刻工艺形成所述InSb薄膜(2);
B.通过半导体光刻掩膜工艺,蒸发所述电极(3)使电极(3)的一部分位于所述InSb薄膜(2)上表面,另一部分延伸至所述基底(1)上表面。
10.根据权利要求9中所述的具有延伸电极的磁敏器件的制造工艺,其特征在于:通过打线工艺将导线(4)连接至所述InSb薄膜(2)的位于基底(1)上表面的所述另一部分上。
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