[发明专利]永磁体磁通温度系数测量装置及方法在审
申请号: | 201511028703.6 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106932740A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 金国顺;杨小军;饶晓雷;王进东 | 申请(专利权)人: | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12;G01R33/07;G01R33/00 |
代理公司: | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙)11377 | 代理人: | 陈立航 |
地址: | 100190 北京市海淀区中*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 永磁体 温度 系数 测量 装置 方法 | ||
1.一种永磁体磁通温度系数测量装置,包括:
加热箱体(1),用于对测试样品(3)进行加热;
磁通测量线圈(2),位于所述加热箱体的内部,用于测量永磁体磁通;
温度传感器(5);以及
测温控温系统(7),
所述磁通测量线圈为耐高温亥姆霍兹线圈。
2.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,还包括箱体内气流循环系统(10),所述箱体内气流循环部位于所述加热箱体的外部,与所述加热箱体的内部流体连通。
3.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,所述温度传感器(5)位于所述磁通测量线圈的内部。
4.根据权利要求3所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,所述测温控温系统(7)位于所述加热箱体的外部,与所述温度传感器一起对所述加热箱体内部的温度进行控制。
5.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,测试样品与加热箱体的内壁之间的距离在50mm以上。
6.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,测试样品位于加热箱体内的中心区域。)
7.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,所述加热箱体和所述磁通测量线圈的尺寸被设置为使得所述磁通测量线圈内的温度上下偏差不超过0.3℃,温度波动度在±0.1℃以内,测试样品的温度测量最大偏差不超过0.3℃。
8.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,所述耐高温亥姆赫兹线圈耐温最高可达600℃,测试样品位于所述亥姆赫兹线圈的中心区域。
9.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,还包括磁通积分器(8),位于所述加热箱体的外部,用于测 量测试样品的磁通或磁偶极矩。
10.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,测量所述磁通测量线圈在不同温度下的电阻值,并且根据测量结果对不同温度下测量得到的磁通值进行修正。
11.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,测量所述磁通测量线圈常数随温度的变化而对磁通的影响,需要进行修正,具体如下:
k2/k1=λ+λ(T2-T1)
在上式中,λ是线圈材料的热膨胀系数,k1和k2是T1和T2温度下的线圈常数。
12.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,所述加热箱体与磁通线圈间无磁屏蔽装置。
13.根据权利要求1所述的永磁体磁通温度系数测量装置,其特征在于,所述样品与耐高温亥姆霍兹线圈同时加热。
14.一种永磁体磁通温度系数测量方法,使用根据权利要求1~13中任一项所述的永磁体磁通温度系数测量装置,包括:
步骤1:测量测试样品在第一温度(T1)时的磁通或磁偶极矩;
步骤2:使测试样品升温到第二温度(T2),测量测试样品在第二温度时的磁通或磁偶极矩;
步骤3:使测试样品降温到第一温度,再次测量测试样品在第一温度时的磁通或磁偶极矩;以及
步骤4:使测试样品升温到第二温度,再次测量测试样品在第二温度时的磁通或磁偶极矩,
由所述步骤1~所述步骤4的测量结果,计算永磁体的磁通温度系数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科三环高技术股份有限公司,未经北京中科三环高技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511028703.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。