[发明专利]一种数据管理方法、装置及终端

说明书

本发明提供了一种数据管理方法、装置及终端，该方法包括：将数据位元按照坐标系的数轴进行排列，沿数轴方向对数据位元进行编码，存储编码得到的数据至存储单元；读取存储单元中的数据，按照坐标系的数轴进行排列，沿数轴方向对数据进行译码，输出译码得到的数据位元。通过本发明的实施，写闪存Flash过程中利用坐标系，如三维结构，对数据进行汉明码的编码，读Flash过程中对应数据进行汉明码的解码，在提升纠错能力的同时又节省系统资源的开销。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种数据管理方法、装置及终端。

背景技术

闪存NAND FLASH因其非易失性及可擦除性、以其具有更小的体积、更快的写入和擦除速度、更多次的可擦除次数以及更低廉的每比特价格得到了迅速发展，在数码相机、手机、移动存储卡、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的使用。为增加存储密度，MLC(Multi-Level Cell，多层单元)技术以及工艺几何尺寸的进一步缩小(70nm和55nm)是业界的两种主流方法，相对于SLC(Single-Level Cell，单层单元)每个单元只存一位数据，MLC将两个(或多个)位的信息存入一个浮动栅，但这使得相邻数据电压之间的空间变小，可靠性变差。

因此，如何提供一种可以解决现有MLC由于相邻数据电压之间的空间变小导致可靠性变差的数据管理方法，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种数据管理方法、装置及终端，以解决现有MLC由于相邻数据电压之间的空间变小导致可靠性变差的问题。

本发明提供了一种数据管理方法，其包括：

将数据位元按照坐标系的数轴进行排列，沿数轴方向对数据位元进行编码，存储编码得到的数据至存储单元；

读取存储单元中的数据，按照坐标系的数轴进行排列，沿数轴方向对数据进行译码，输出译码得到的数据位元。

进一步的，坐标系包括三维坐标系，坐标系的数轴为三维坐标系三条互相垂直的x轴、y轴、z轴；沿数轴方向对数据位元进行编码包括：在x轴方向上，对数据位元进行编码，生成x轴校验位元，并按照x轴方向排放；在y轴方向上，对数据位元与上述x轴校验位元进行编码，生成y轴校验位元，按照y轴方向排放；在z轴方向上，对数据位元与x轴校验位元和y轴校验位元进行编码，生成z轴校验位元，按照z轴方向排放好。

进一步的，存储编码得到的数据至存储单元包括：将在x轴、y轴和z轴编码得到的数据分别按照x轴、y轴和z轴相应顺序，写入到闪存。

进一步的，对数据位元进行编码包括：对数据位元进行(n,k)的汉明码编码，其中，n为码字长度，k为数据位元长度。

进一步的，当坐标系包括2个及以上个数的数轴时，对各数轴使用不同的(n,k)，进行(n,k)的汉明码编码。

进一步的，数据位元包括CRC(Cyclic Redundancy Check，循环冗余码校验)值，数据管理方法在沿数轴方向对数据进行译码之后，还包括：根据CRC值，对译码得到的数据位元进行数据纠错及错误定位。

进一步的，当坐标系包括三维坐标系，坐标系的数轴为三维坐标系三条互相垂直的x轴、y轴、z轴时，沿数轴方向对数据进行译码，对译码得到的数据位元进行数据纠错及错误定位包括:

沿x轴正方向将数据进行x轴译码，如果发生1bit错误，则将纠错的位元更正回写，如果发生2bit错误，则将检测到的结果记录下来，当x轴所有码字的译码完成后，对纠正后的数据进行CRC校验，如果校验结果正确则结束本次译码，如果校验结果有误，则启动y轴译码；