[发明专利]一种用于t-EBSD测试的样品夹具有效
申请号: | 201511029300.3 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105651798B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 范国华;唐光泽;曹国剑 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G01N23/2204 | 分类号: | G01N23/2204 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 高志光 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 ebsd 测试 样品 夹具 | ||
一种用于t‑EBSD测试的样品夹具,它涉及一种试验器具,以解决现有t‑EBSD测试过程中会出现移动,导致最终图像漂移,试验失败的问题,以及样品夹持数量少的问题,它包括安装台和夹具体;夹具体包括基台和多组压片,每组压片主要由第一直段、第二直段和第三直段组成;基台为横截面为倒直角梯形的六棱柱,大底边所在的大底面上靠近斜面处开设有多个半圆形台阶,多个半圆形台阶沿基台的长度方向设置,所述大底面上沿基台的长度方向并排设置有多个压片;第二直段的一端与第三直段的一端连接并形成夹角,第一直段的一端通过安装在大底面上的弹簧铰链与第二直段的一端连接;基台与安装槽配合设置,基台放置在安装槽内。本发明用于样品测试。
技术领域
本发明涉及一种试验器具,具体涉及一种用于t-EBSD测试的样品夹具。
背景技术
在扫描电子显微镜(SEM)中,入射于样品上的电子束与样品作用产生几种不同效应,其中之一就是在每一个晶体或晶粒内规则排列的晶格面上产生衍射。从所有原子面上产生的衍射组成“衍射花样”,这可被看成是一张晶体中原子面间的角度关系图。20世纪90年代以来,装配在SEM上的电子背散射花样(Electron Back-scattering Patterns,简称EBSP)晶体微区取向和晶体结构的分析技术取得了较大的发展,并已在材料微观组织结构及微织构表征中广泛应用。该技术也被称为电子背散射衍射(Electron BackscatteredDiffraction,简称EBSD)或取向成像显微技术(Orientation Imaging Microscopy,简称OIM)等。EBSD的主要特点是在保留扫描电子显微镜的常规特点的同时进行空间分辨率亚微米级的衍射(给出结晶学的数据)。
采用传统EBSD模式时,入射电子与块状样品的作用范围大,产生背散射电子的横向区域宽度通常大于150nm,因此传统EBSD空间分辨率差;采用t-EBSD模式入射电子穿透样品,其横向扩展区域通常小于100nm,使得相分辨率高。
目前所采用的测试方法是将样品夹在样品夹台上,再将样品夹台固定在一个倾斜70°的支架上。由于样品夹台较重,在实验过程中会发生图像的漂移,导致结果存在较大误差,另外,一个夹台上只能加持一个样品,测试效率较差。
发明内容
本发明为解决现有t-EBSD测试过程中会出现移动,导致最终图像漂移,试验失败的问题,以及样品夹持数量少的问题,进而提出一种用于t-EBSD测试的样品夹具。
本发明为解决上述技术问题采取的技术方案是:
一种用于t-EBSD测试的样品夹具包括安装台和夹具体;夹具体包括基台和多组压片,每组压片主要由第一直段、第二直段和第三直段组成;基台为横截面为倒直角梯形的四棱柱,倒直角梯形的大底边与斜边之间的夹角为70°,大底边所在的大底面上靠近斜面处开设有多个半圆形台阶,多个半圆形台阶沿基台的长度方向设置,半圆形台阶的台面至大底面的距离为0.1mm,所述大底面上沿基台的长度方向并排设置有多个压片,半圆形台阶与压片一一对应设置;
第二直段的一端与第三直段的一端连接并形成夹角,该夹角朝向大底面,第三直段的另一端置于半圆形台阶的上部,第一直段的一端通过安装在大底面上的弹簧铰链与第二直段的一端连接,第一直段的另一端向倒直角梯形的直腰延伸;
安装台开设有安装槽,安装台上具有样品放置台面,基台与安装槽配合设置,基台放置在安装槽内,且样品放置台面与大底面齐平。
本发明具有以下有益效果:
一、可将离子减薄试样稳固的固定在夹具体的半圆形台阶上,不会出现试样移动,导致最终图像漂移。
二、用于t-EBSD测试的样品夹具可以一次夹持多个试样品,解决了现有试样品台夹持数量少的问题。
三、可以将样品夹具放置在试样安装台上的安装槽中,样品放置台面便于将微小轻薄的试样快速准确的安装在用于t-EBSD测试的样品夹具中。
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