[发明专利]数据存储系统及基于该系统的数据读写方法有效

专利信息
申请号: 201511029383.6 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN105653208B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 辛辉 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 214135 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 数据 存储系统 基于 系统 读写 方法
【权利要求书】:

1.一种数据存储系统,其特征在于,所述的系统包括:

Flash模块,其包括:

第一数据存储区以及与所述的第一数据存储区相同的第二数据存储区,用以每次上电进行数据读取和写入后,交替存储更新后的数据;

数据变化记录区,用以在工作进程间歇期,检测SRAM模块的数据区中的某地址的标志位是否为0,如果为0,则将标志位为0的地址内存放的数据及该地址均写入该数据变化记录区;

地址指针区,用以在第一数据存储区更新数据后,改写地址指针区以使得地址指针区的地址指向第二数据存储区;以及在第二数据存储区更新数据后,改写地址指针区以使得地址指针区的地址指向第一数据存储区;

SRAM模块,其包括:

数据区,用以在正常工作时,进行数据的读取与写入;

标志位,用以每次向数据区的某地址写入数据时,系统比较该地址中原有数据与刚写入的数据是否相同,如果该地址中原有数据与刚写入的数据不相同,则将标志位修改为0;如果该地址中原有数据与刚写入的数据相同,则将标志位修改为1。

2.一种基于权利要求1所述的存储系统实现数据存储及读取的方法,其特征在于,所述的方法包括:

(1)系统上电后,根据所述的地址指针区的内容选择相应的数据存储区的数据加载至SRAM模块的数据区;

(2)检测数据变化记录区中的数据是否为空;

(3)如果所述的数据变化记录区中的数据为空,则结束检测;

(4)如果所述的数据变化记录区中的数据非空,则根据所述的数据变化记录区中的数据写入至相应的SRAM模块的数据区;

(5)擦除另一数据存储区的数据,并将所述的SRAM模块的数据区的数据写入该另一数据存储区;

(6)擦除地址指针区的地址指针,并改写地址指针区以使得地址指针区的地址指针指向该另一数据存储区;

(7)擦除数据变化记录区的数据。

3.根据权利要求2所述的数据存储及读取的方法,其特征在于,所述的步骤(7)之后还包括以下步骤:

(8)系统在每次向数据区的某地址写入数据时,比较该地址中原有数据与刚写入的数据是否相同;

(9)如果该地址中原有数据与刚写入的数据不相同,则将标志位修改为0,然后继续步骤(11);

(10)如果该地址中原有数据与刚写入的数据相同,则将标志位修改为1,然后继续步骤(11);

(11)在工作进程间歇期,所述的数据变化记录区遍历SRAM模块中的各个地址的标志位是否为0;

(12)如果某一地址的标志位为0,则将该标志位为0的地址与该地址内存储的数据均写入数据变化记录区;

(13)如果SRAM模块中所有的地址的标志位为1,则结束遍历。

4.根据权利要求3所述的数据存储及读取的方法,其特征在于,所述的标志位为0的地址在所述的数据变化记录区占用两个地址,前一个地址用以存储该标志为0的地址,后一个地址用以存储该标志位为0的地址内存储的数据;

所述的将该标志位为0的地址与该地址内存储的数据均写入数据变化记录区,具体为:

将该标志为0的地址存储进所述的数据变化记录区的前一个地址,将该标志位为0的地址内存储的数据存储进所述的数据变化记录区的后一个地址。

5.根据权利要求4所述的数据存储及读取的方法,其特征在于,所述的根据所述的数据变化记录区中的数据写入至相应的SRAM模块的数据区,具体包括以下步骤:

将所述的后一个地址中的数据写入至与前一个地址中存储的地址指向的SRAM模块的数据区中。

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