[发明专利]一种热处理设备及其处理晶圆的方法在审
申请号: | 201511029397.8 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106935531A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 崔严匀;季勇 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热处理 设备 及其 处理 方法 | ||
1.一种热处理设备,其特征在于,包括:
炉体;
横置在所述炉体内部的炉管,所述炉管的管口具有可拆卸密封盖且用于作为装入晶圆的入口,所述炉管的管尾作为输气口用于接收外部充气设备输入的氢气,所述炉管的管侧设置有排气管;
与所述炉管的排气管连接的气体处理部件,用于对传输至所述排气管的炉管内过量气体进行处理并排出至所述炉体外。
2.根据权利要求1所述的热处理设备,其特征在于,所述可拆卸密封盖为橡胶帽塞。
3.根据权利要求1所述的热处理设备,其特征在于,所述炉管的管尾作为输气口接收的气体还包括氮气。
4.根据权利要求1所述的热处理设备,其特征在于,所述气体处理部件包括:
气体处理室,用于接收所述排气管传输的炉管内过量气体,并在处理后排出至所述炉体外;
设置在所述气体处理室中的发热体,用于对输入至所述气体处理室中的过量气体中的氢气进行燃烧处理。
5.根据权利要求4所述的热处理设备,其特征在于,所述气体处理室的形状为圆柱体、长方体或正方体。
6.一种采用如权利要求1-5任一项所述的热处理设备处理晶圆的方法,其特征在于,包括:
装有待处理晶圆的炉管接收外部充气设备输入的氮气,开启的气体处理部 件将所述炉管内的过量气体排出;
所述炉管接收所述外部充气设备输入的氢气,所述气体处理部件处理并排出所述炉管内的过量气体;
控制所述炉管所在炉体处于预设晶圆处理温度,以使所述待处理晶圆与所述炉管内的氢气发生反应;
当所述待处理晶圆的反应时间达到预设晶圆处理时间时,所述炉管接收所述外部充气设备输入的氮气,所述气体处理部件处理并排出所述炉管内的过量气体以使所述炉管内处于纯氮环境,并结束晶圆处理程序。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,装有待处理晶圆的炉管接收外部充气设备输入的氮气之前,还包括:
设置所述炉体的处理参数并控制所述炉体达到所述处理参数,其中,所述处理参数包括预设晶圆处理温度和预设晶圆处理时间。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述气体处理部件的开启过程为:控制所述气体处理部件的发热体发热并超出氢气燃点。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述气体处理部件处理并排出所述炉管内的过量气体的过程为:所述发热体燃烧处理所述过量气体中的氢气,所述气体处理部件将处理后的气体排出。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,结束晶圆处理程序的过程包括:
关闭所述气体处理部件的发热体并停止接收所述外部充气设备输入的氮气,取出已处理晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造