[发明专利]高电子迁移率晶体管和存储器芯片在审
| 申请号： | 201511029475.4 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935640A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;陈建国;林信南 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 存储器 芯片 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：
基底；
氮化镓层和氮化镓铝层，所述氮化镓层的一侧复合于所述基底的表层，所述氮化镓层的另一侧复合于所述氮化镓铝层的底部；
介质层，复合于所述氮化镓铝层的顶层，所述介质层设置有至少两个贯通的接触孔；
电极，所述电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，所述漏极电极和所述源极电极分别设置于对应的所述至少两个贯通的接触孔中对应的接触孔中，
其中，所述介质层包括金属氧化层和/或无机氧化层。
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述金属氧化层包括：
氧化铪层、氧化锆层、氧化钛层、氧化铝层和氧化铊层中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述无机氧化层还包括：
第一氮化硅层，所述第一氮化硅层复合于所述金属氧化层和所述氮化镓铝层之间。
4.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源极电极包括第一钛-铝-钛-氮化钛复合层，所述漏极电极包括第二钛-铝-钛-氮化钛复合层。
5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极电极包括镍-铜复合层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述氮化镓铝层包括本征氮化镓铝结构层。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：
隔离层，复合于所述介质层和所述电极的顶层。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述隔离层包括氧化硅层和/或第二氮化硅层。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述基底包括本征硅层。
10.一种存储器芯片，其特征在于，包括：
如权利要求1至9中任一项所述的高电子迁移率晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201511029475.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于舱内气体交换的装置
- 下一篇：抽风机构及抽风系统
- 同类专利
- 专利分类
