[发明专利]一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法

权利要求书

1.一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，根据集总参数模型，建立SDBD激励器的等效电路，在等效电流源未向介质板表面放出电荷时，测得电源电压U_HV和标准电容器C_m上的电压U_m，得到比例系数k，其中k＝U_HV/U_m；

步骤2，计算得到所述介质板的任一弦向截面的电荷量；

根据Q_m＝Q_CS+Q_ES和U_ES＝U_HV-U_m≈U_HV(k-1)/k，得到

Q_CS＝U_mC_m-(U_HV(k-1)/k)C_m/(k-1)＝(U_m-U_HV/k)C_m，

Q＝Q_CS/l，

其中，Q_CS为所述介质板上电荷总量，Q_ES为暴露电极和植入电极组成电容器的电荷总量，Q_m为整个等效电路的电荷总量，Q为所述介质板的任一弦向截面的电荷量，l为所述SDBD激励器暴露电极展向长度，C_m为标准电容器的电容；暴露电极向植入电极放电时，测得上述参数；

步骤3，通过高速相机获取所述SDBD激励器放电图像，通过matlab将所述放电图像转化为灰度矩阵；通过matlab将灰度矩阵进行高斯函数拟合得到放电光强的光强分布函数G(x)；

步骤4，根据∫ρ_c,maxG'(x)f(t)＝Q，计算得到ρ_c,max；

其中，Q为所述介质板一弦向截面的电荷量，ρ_c,max为电荷密度最大值，f(t)＝sin(2πωt)为波形函数，取f(t)＝1，G'(x)为通过光强分布函数G(x)得到的电荷密度分布趋势函数；

根据唯象学模型中放电区域电荷分布满足的关系式：

ρ_c,w＝ρ_c,maxG'(x)f(t)，得到电荷密度分布函数ρ_c,w；

步骤5，根据唯象学仿真方法，将电荷密度分布函数ρ_c,w带入唯象学模型，对二维SDBD激励器流场进行仿真流场计算，得到二维SDBD激励器流场。

2.根据权利要求1所述的一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法，其特征在于，所述步骤3中matlab中将所述灰度图像进行高斯函数拟合得到所述放电光强的分布函数时，取多项高斯函数拟合。

3.根据权利要求1所述的一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法，其特征在于，步骤4中的∫ρ_c,maxG'(x)f(t)＝Q，其中，ρ_c,max为唯一未知量，且为常数。

4.根据权利要求1所述的一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法，其特征在于，步骤3中，通过matlab将所述放电图像转化为灰度矩阵时，得到所述介质板弦向截面上平均灰度值。

6.根据权利要求1所述的一种基于光强分布的二维SDBD激励器流场获取方法，其特征在于，光强分布函数G(x)为所述介质板的弦向截面光强分布函数。