[发明专利]一种半导体芯片的清洗方法在审
| 申请号： | 201511029535.2 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935483A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 朱国平;田晟;支永伟;朱洪耀 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 清洗 方法 | ||
1.一种半导体芯片的清洗方法，其特征在于，包括：
提供待清洗的半导体芯片，所述半导体芯片的背银层中含有待去除的含银化合物；
对所述半导体芯片进行第一次翻膜，并撕掉所述半导体芯片背面的保护膜，露出半导体芯片的背银层；
将所述待清洗的半导体芯片浸入清洗液中进行清洗，以去除所述待去除的含银化合物；
将经过清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗；
将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理之后还包括：
在所述半导体芯片的背面贴附保护膜，以覆盖半导体芯片的背银层。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述对所述半导体芯片进行第一次翻膜之前还包括：
在所述半导体芯片正面贴附保护膜。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述在所述半导体芯片的背面贴附保护膜之前还包括：
对所述半导体芯片进行第二次翻膜，并撕掉半导体芯片正面的保护膜。
5.根据权利要求1-4任一所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗液为硝酸溶液。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述硝酸溶液的浓度为5％。
7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，所述半导体芯片浸入硝酸溶液清洗的时间为5s。
8.根据权利要求1-4任一所述的清洗方法，其特征在于，将经过清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗包括：
采用离子水或纯水对所述清洗液清洗后的半导体芯片进行冲洗。
9.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，所述冲洗的时间为10分钟。
10.根据权利要求1-4任一所述的清洗方法，其特征在于，所述将冲洗后的半导体芯片进行干燥处理具体为将冲洗后的半导体芯片放于烘干机中烘干。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
