[发明专利]一种降低对UWL进行读取发生时间超时错误的方法

说明书

本发明公开了一种降低对UWL进行读取发生时间超时错误的方法,其特征在于预先评估存储颗粒在各个使用周期出现UECC错误的概率；根据评估获得当前读取命令出现UECC错误时需要执行读重试RR操作的当前使用周期值Up/e，并与预先实验获取的阈值Cp/e进行比对，当出现UECC错误时且Up/e不大于Cp/e，则执行不超过5次RR操作，且不再进行纠错操作就直接返回；当出现UECC错误时且Up/e大于Cp/e，则执行读重试RR操作和纠错操作。本发明当对UWL读取时，按照动态调整RR次数，且按照阶梯式调整读阈值电压调整优化来读取数据，大幅度减少由于对UWL进行过分的RR而出现的命令TO的错误。

技术领域

本发明涉及信息存储领域，尤其涉及一种降低对UWL进行读取发生时间超时错误的方法。

背景技术

TLC NAND flash是一种每个存储单元(memory cell)中存储有3个bit的flash类型，其较高的存储密度在固态硬盘及存储器领域有着愈来愈广泛的应用。

在TLC NAND flash每个存储单元的3个bit信息中，分别属于不同的分组，相对于MLC及SLC中page的概念，TLC中的三个数据分组称为sub-page，其中存储低位bit的叫做lowpage，存储中间bit的叫做middle page，存储高位bit的叫做up page。而三个sub-page所属的同一个Word Line(WL)即是相对于MLC及SLC中page的存在。

在TLC的Program写过程中，需要遵循一定的写序列program order，这个programorder根据颗粒的不同而有所差异，但总体来说都需要遵循每个存储单元需要被program 3次，并且3次program并非连续进行。在对TLC颗粒的block进行program操作时，需要将整个block进行依照program order进行program操作，当所写数据量不足以将整个block写满时，需要将后面的WL写dummy数据(无效数据)以将整个block填满，否则会出现较多的bit出错。在写操作时，将未能写满的block称为unclosed Block，将未能写满的WL称为UnclosedWL(UWL)。

当对block中某一UWL进行读取时，必然会出现当前数据不能满足program时的加密法则而出现UECC，此时，会进入到对出错数据的读重试Read Retry(RR)及纠错算法中进行纠错，若由于尝试纠错时间过长，不能及时的对主机端发送的读命令及时响应，导致超出时间范围而出现TO错误。

现有技术主要通过增大主机端命令等待时间或减少RR次数以缩短时间来保证命令及时响应。现有方法中，增大主机端命令等待时间会一定程度降低性能，而减少RR次数，会降低对正常WL读取时的纠错能力，导致不能有效的获取读取信息。

发明内容

针对以上缺陷，本发明目的在于提出了如何降低主机端对UWL区域进行读取操作时出现TO错误的概率。

为了实现上述目的，本发明提供了一种降低对UWL进行读取发生时间超时错误的方法,其特征在于预先通过试验或测试的方法评估存储颗粒在各个使用周期出现UECC错误的概率,存储颗粒的使用周期通过该颗粒被擦写操作的次数来标识；根据评估获得当前读取命令出现UECC错误时需要执行RR操作的当前使用周期值Up/e，并与预先实验获取的阈值Cp/e进行比对，当当前读取命令出现UECC错误时且使用周期Up/e不大于使用周期阀值Cp/e，则执行不超过5次RR操作，且不再进行纠错操作就直接返回；当当前读取命令出现UECC错误时且使用周期Up/e大于使用周期阀值Cp/e，则执行尽可能多的RR操作和最大限度纠错操作。

所述的降低对UWL进行读取发生时间超时错误的方法，其特征在于所述的使用周期阀值Cp/e为400。

所述的降低对UWL进行读取发生时间超时错误的方法，其特征在于根据使用周期来动态调整存储颗粒的各个读阀值电压。